[发明专利]光信息记录介质

说明书

<技术领域>

本发明涉及一种高密度的可重写光记录介质，更具体地说是涉及一种相变型记录介质，该介质在减低记录信号颤动、拓宽写入功率范围、抗反复重写形成的特征磨损的耐用性、及存档稳定性等方面有很好的性能。

<技术背景>

具有可读性和可交换性的介质随着光盘，例如可读写光盘(CD-RWS)已经被广泛传播。具有可读性和可互换性的介质随着DVD光盘，例如可读写DVD光盘、DVD可删写光盘(DVD+RW)、及DVD随机存储器现正在流行。这些相变型光盘是价格合理的、大容量的记录介质，在便携性、抗气候变化性、及抗撞击性等方面性能优越。

相变光学记录介质完成写和删除是借助于反射率的变化随着结晶态可逆的变化。一般来说，一种结晶态被用作非记录态或删除态，而非晶标志形成写入。通常，通过加热，并在给定的时间内保持在结晶温度附近进行加热以使记录层结晶，和通过加热到高于熔点的温度，再接着淬火使记录层成非晶相。从加热的温度差可理解，结晶一般相更稳定。

硫族合金，例如锗锑碲合金(GeSbTe)，铟锑碲合金(InSbTe)，锗锡碲合金(GeSnTe)，银铟锑碲合金(AgInSbTe)，经常用作记录层。这些金属是能重写的材料。

特别是，众所周知，准二元合金Sb₂Te₃和GeTe(以下简称为准二元合金)，以及接近Sb₇₀Te₃₀共晶成分为主要组成的合金。

这些合金在结晶态和非晶态都是稳定的，并表现出两个态之间可相当迅速地相变。它们还有一个优点是，在反复重写时几乎不出现分离。因此被实际用作相变光盘的记录层。

术语“重写(直接重写)”表示一种记录模式，在其中，当信息被记录在已记录信息的介质上时，在记录之前，没有删除已有信息，即，一种同时记录并删除已存信息的模式。因为相变介质通常是在重写模式下完成记录，“重写”可以简单地成为“记录”。

在具有接近Sb₇₀Te₃₀共晶成分为主要组成的合金中，Sb含量超过Sb₇₀Te₃₀的共晶组成的合金(此后，简称为共晶合金系统)近来正吸引人们的注意。这种类型合金制成的记录层形成有平滑边界的非晶标志(标志边界)，它能有效地抑制颤动，并表现出极高的结晶率，从而可以高速重写。

一种相变记录介质一般是一种所谓的高到低介质，其记录后的反射率比记录前低。由于通常结晶态被用作非记录或删除态，非晶态被用作记录态，记录层在非晶态的反射率低于在结晶态的反射率。一种典型的高到低的介质具有包含第一保护层、记录层、第二保护层和反射层的层结构。

在另一方面，也知道所谓的低到高介质的记录后的反射率要高于记录前的。这种类型记录介质，当其记录层是非晶态时反射率比是结晶态的高。

就从低到高介质而言，已知一种包括半透明层的层结构主要按以下顺序包含金属、有介电材料的第一保护层、记录层、有介电材料的第二保护层和金属反射层的层结构。一般说来，有这样层结构的低到高介质与高到低介质相比，能减少交叉删除现象。

已经知道在具有准二元合金系统记录层的介质中使用低到高介质。例如，Ge₂Sb₂Te₅是典型的准二元合金系统的实例，在接近Ge₂Sb₂Te₅的一种合金用作记录层时，以下事实被接受，即由于在非晶态区域和结晶态区域光吸收的差别删除的不稳定性被消除，从而使高速重写成为可能。

然而，没有搞清楚的是：在具有一个共晶合金系统记录层的介质中采用具有上述层结构的低到高介质。

尚没有数据说明应用低到高介质降低交叉删除是有效的。因为共晶合金系统记录层基本上使高速重写成为可能，在这方面对于低到高介质的贡献也还不清楚。

已经观察到应用低到高介质能导致归档稳定性或反复重写性。同时，在高到低介质中也观察到反复重写性有些下降，只是在低到高介质中下降的程度更高。

这意味着，当用共晶合金系统记录层时，对于低到高介质的一般常规的层结构还没有成功地获得良好的特性。

<发明的公开>