[发明专利]缺陷知识库

说明书

相关申请的交叉参考

本专利申请对2000年10月2日提交的美国临时专利申请60/237,297号提出优先权，这里参考引用了该专利申请。本专利申请包含的主题涉及2001年7月13日同时提交的美国专利申请09/905,313号，09/905,514号和09/905,607号，这里完整地参考引入了这些专利申请。

技术领域

本发明通常涉及在半导体晶片加工系统中进行缺陷分析的方法或相关装置。更具体地，本发明涉及存储有关半导体晶片上缺陷的图像和其它信息的数据库。

背景技术

半导体晶片在加工期间易于产生缺陷。当在其上构成集成电路时，缺陷可能发生在晶片的任意加工阶段。集成电路的制造者通常维护一个关于规则发生的缺陷的原因的数据库。如果缺陷经常发生并且有明确的解决方案，则数据库可以包含一个关于缺陷、缺陷原因和缺陷解决方案的描述。例如，当一个具体的容器室变脏时可能产生某些缺陷。当这些缺陷产生时，数据库会指定对具体容器室进行清洁的解决方案。

各个集成电路制造者开发出其自己的缺陷信息专用数据库。同样地，大量资金不断被用于建立包含完整的可能缺陷和解决方案列表的数据库。

因此本领域需要汇集多个集成电路制造者的机密缺陷信息的方法。不同制造者可以通过不会暴露任何机密工艺信息的方式访问这种缺陷信息。可以对合并的缺陷信息进行组织以便晶片缺陷来源或原因的分析可以和缺陷的适当解决方案联系起来。

发明内容

本发明是一个建立包括图像和其它半导体晶片缺陷信息的数据库的方法和装置。数据库被存储在一个服务器上，该服务器有多个客户端与之连接。从客户端向数据库提供图像和其它信息。客户端从本地计量单元收集信息和图像并且通过网络向服务器发送信息和图像。在数据库中将信息、图像与缺陷相关原因和解决方案组织起来以便构成对各个缺陷的研究案例。可以从多个客户端汇集缺陷研究案例以构成一个全面的缺陷知识库。任何经过授权的客户端均可以远程访问数据库以找到具体缺陷的原因和解决方案。

附图说明

为了能够实现并详细理解本发明的上述特征，参照附加附图中图解的本发明实施例更具体地描述前面加以概述的本发明。

图1示出了一个基于本发明的缺陷来源识别器的模块图；

图2示出了图解包括图1的缺陷来源识别器的装置和数据库的模块图；

图3示出了图2的缺陷知识库数据库系统的结构图；

图4示出了可以被图1的缺陷来源识别器显示的缺陷摘要屏幕；

图5示出了可以被图1的缺陷来源识别器显示的案例图像屏幕；

图6示出了可以被图1的缺陷来源识别器显示的图像屏幕；

图7示出了可以被图3的缺陷知识库数据库系统显示的浏览缺陷屏幕；

图8示出了可以被图3的缺陷知识库数据库系统显示的搜寻屏幕；

图9示出了可以被图3的缺陷知识库数据库系统显示的浏览缺陷屏幕；

图10示出了可以被图3的缺陷知识库数据库系统显示的编辑屏幕；

图11示出了可以被图3的缺陷知识库数据库系统显示的创建屏幕；

图12示出了可以被图3的缺陷知识库数据库系统显示的图像库屏幕；

图13示出了可以被图3的缺陷知识库数据库系统显示的配置屏幕；

图14示出了图13的配置屏幕的另一部分；而

图15示出了一个涉及图3的缺陷知识库数据库系统的用户交互方法。

然而应当注意，附图只图解了本发明的典型实施例，因此不被认为是对本发明范围的限制，本发明允许采用其它等效实施例。

具体实施方式

缺陷知识库系统186的一个实施例构成图1中缺陷来源识别器100的一部分。缺陷来源识别器100识别晶片加工系统102加工的晶片中的缺陷，确定缺陷来源并且提出减轻各个缺陷的解决方案。晶片加工系统102包含一或多个加工单元103。各个加工单元103(这里也被称作加工工具)被用来对晶片完成诸如化学汽相沉积(CVD)，物理汽相沉积(PVD)，电化学电镀(ECP)，化学机械抛光(CMP)，化学沉积，其它已知沉积或蚀刻加工的示例性加工。

缺陷知识库(DKL)数据库系统186在DKL数据库190中存储半导体晶片缺陷案例历史记录。通过DKL软件188存储，组织和访问案例历史记录信息。缺陷来源识别器100的远程用户(客户端104)可以访问这种半导体晶片缺陷案例历史记录以确定缺陷来源识别器100识别的晶片缺陷的来源和解决方案。