[发明专利]电容器用聚酯薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及电容器用聚酯薄膜。

背景技术

对于电容器，随著电器和电子装置的小型化，需要其小型化和大容量化，同时由于电容器使用更高的电压，因此需要提高的绝缘特性。对应此要求，在薄膜电容器中，对作为电介质的更薄薄膜和降低薄膜中存在的针孔进行了研究。基于作为电介质的薄膜的单位体积的静电容量与薄膜厚度的平方成反比，与电介质的介电常数成正比。虽然薄膜电容器借助于形成更薄的作为电介质的薄膜可以获得电容器的小型化和大容量化，但在电容器的加工步骤中的操作效率被降低，特别是在薄膜上进行金属蒸汽沉积和切割加工及卷绕堆积电容器薄膜元件的步骤的操作效率被降低。[JP-A(JP-A指日本未审专利出版)No.10-294237]提出了在聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯膜中添加特定的惰性微粒子作为润滑剂来抑制操作效率恶化的方法。

发明内容

上述方法的优点在于，在形成较薄薄膜的同时可以在电容器的加工步骤中获得优异的操作效率；然而，由于在薄膜中含有添加剂、特别是润滑剂，可能引起绝缘特性不好，因而作为电容器用的薄膜尚有低于之处。在电容器元件卷绕后的热压温度和压力有提高的倾向，并且电容器元件的绝缘性或耐压性因该简单材料的薄膜而降低。

本发明的目的是解决上述现有技术的问题，并提供包含聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分和具有优异的绝缘特性和加工特性的电容器用聚酯薄膜。

本申请以日本专利申请No.2000-362612、2000-362613和2000-362614为基础要求优先权，并将这些申请的内容并入本发明。

本发明以下述权利要求1构成，并包含权利要求2至1 4作为优选模式。

第1项.一种电容器用聚酯薄膜，其为以聚2，6-萘二羧酸乙二醇酯为主成分，和当基于t℃温度的薄膜纵向(MD)长度LMD(t)，T℃温度的纵向热变形率RMD(T)定义为RMD(T)＝{[LMD(T)-LMD(35)]/LMD(35)}×100(％)时，150℃温度的薄膜纵向热变形率RMD(150)为

-1.5％≤RMD(150)≤0.0％

的双轴取向膜。

第2项.第1项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，当基于t℃温度的薄膜横向(TD)长度LTD(t)，T℃温度的薄膜纵向热变形率RTD(T)定义为RTD(T)＝{[LTD(T)-LTD(35)]/LTD(35)}×100(％)时，150℃温度的薄膜横向热变形率RTD(150)为

-1.0％≤RTD(150)≤0.0％。

第3项.第2项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，210℃温度的的热变形率RMD(210)和RTD(210)为

-3.5％≤RMD(210)≤0.0％，和

-3.5％≤RTD(210)≤0.0％。

第4项.第3项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，薄膜的纵向5％变形强度与薄膜横向5％变形强度的比率为0.90或以上和1.40或以下。

第5项.第1至第4项任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过60μm的碟型区的个数为20个碟型区/m²或以下。

第6项.第1至第5项任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过30μm的碟型区的个数为10个碟型区/m²或以下。

第7项.第1至第6项任一项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，薄膜中存在的最大直径超过40μm的粗大粒子个数为10个粗大粒子/m²或以下。

第8项.第5项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，其中含有0.03～2重量％的平均粒径为0.2～5μm的碳酸钙粒子和0.03～1重量％的平均粒径为0.1～2μm的板状硅酸铝粒子。

第9项.第8项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，最大直径超过35μm的粗大粒子个数为10个粗大粒子/m²或以下。

第10项.第7项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，其中含有多孔二氧化硅和球状二氧化硅，所述多孔二氧化硅粒子的平均粒径为0.5～5μm，所述球状二氧化硅粒子的平均粒径为0.05～1.5μm且小于薄膜厚度，而且所述球状二氧化硅粒子的粒径比为1.0～1.2，所述多孔二氧化硅粒子的含量为0.05～2重量％和所述球状二氧化硅粒子的含量为0.01～1重量％。

第11项.第10项的电容器用聚酯薄膜，其特征在于，平均直径超过55μm的碟型区个数为15个碟型区/m²或以下。