[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

在上述半导体衬底的表面上中间存在着栅极绝缘膜地形成的栅极电极；

在上述半导体衬底上被形成为把上述栅极电极正下边的沟道区夹在中间地相向的源极和漏极扩散层[上述源极和漏极扩散层由低电阻区域和被形成为从该低电阻区域向上述沟道区进行扩张的比低电阻区域杂质浓度还低的低杂质浓度且浅的扩张区域构成]；

在上述源极和漏极扩散层之间的上述沟道区上形成的第1导电类型的第1掺杂层；

在上述第1掺杂层的下边形成的第2导电类型的第2掺杂层；和

在上述第2掺杂层的下边形成的第1导电类型的第3掺杂层，

其特征在于：

上述第1掺杂层，其结深度被设定得与上述源极和漏极扩散层的扩张区域的结深度相同或比之还浅，

上述第2掺杂层，把杂质浓度和厚度设定为使得归因于上述第1和第3掺杂层之间产生的内建电位而完全耗尽化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第1掺杂层，把杂质浓度和厚度设定为使得在沟道反型层形成时完全耗尽化。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第1掺杂层，把杂质浓度和厚度设定为使得在沟道反型层形成时部分地耗尽化。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第1和第2掺杂层采用向在已形成了上述第3掺杂层的上述半导体衬底上边外延生长的未掺杂的半导体层内离子注入杂质的办法形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第2掺杂层，在上述栅极电极正下边的区域上选择性地形成。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：

上述第2掺杂层，在上述未掺杂的半导体层的上述栅极电极正下边的区域上选择性地形成，

上述源极和漏极扩散层，被形成为使得上述低电阻区的底面位于上述未掺杂的半导体层内，而且上述扩张区的底面接连到上述第2掺杂层上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

与上述源极和漏极扩散层的扩张区接连地埋入第1导电类型的第4掺杂层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述源极和漏极扩散层的低电阻区被形成为从上述栅极绝缘膜位置向上方突出出来。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：上述栅极电极具有接连到栅极绝缘膜上的金属膜。

10.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：上述栅极电极是金属电极。

11.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：上述栅极电极是多晶硅电极。

12.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

在上述半导体衬底的表面上中间存在着栅极绝缘膜地形成的栅极电极；

在上述半导体衬底上被形成为把上述栅极电极正下边的沟道区夹在中间地相向的源极和漏极扩散层；

在上述源极和漏极扩散层之间的上述沟道区上形成的第1导电类型的第1掺杂层；

在上述第1掺杂层的下边形成的第2导电类型的第2掺杂层；和

在上述第2掺杂层的下边形成的第1导电类型的第3掺杂层，

其特征在于：

上述第1掺杂层，其结深度被设定得与上述源极和漏极扩散层的结深度相同或比之还浅，

上述第2掺杂层，把杂质浓度和厚度设定为使得在它与上述第3掺杂层之间的结的深度比上述源极和漏极扩散层的结深度还深，而且，归因于上述第1和第3掺杂层之间产生的内建电位而将完全耗尽化。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：

上述源极和漏极扩散层，由低电阻区和被形成为使得从该低电阻区向上述沟道区一侧进行扩张的比低电阻区的杂质浓度还低且浅的扩张区构成，而且，上述低电阻区的底面位于上述第2掺杂层内部。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：

上述第1掺杂层，把杂质浓度和厚度设定为使得在沟道反型层形成时完全耗尽化。