[发明专利]半导体存储器有效
申请号: | 02106179.3 | 申请日: | 2002-04-08 |
公开(公告)号: | CN1396600A | 公开(公告)日: | 2003-02-12 |
发明(设计)人: | 北本绫子;松宫正人 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/413;G11C7/00;G11C7/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 | ||
1.半导体存储器,它包括:多个存储单元;分别与所述存储单元连接用于传送数据的多个位线;分别与所述位线连接用于放大传送给所述位线的数据的多个读出放大器;以及数据控制电路,它用于将从所述存储单元读出且同时被这些读出放大器放大的所有数据输出到存储器外部,还用于将从外部输入且同时被这些读出放大器放大的所有数据写入所述存储单元。
2.权利要求1所述的半导体存储器,其中还包括分别对应于用来相对于所述外部来输入/输出数据的所述位线而形成的多个数据总线。
3.权利要求2所述的半导体存储器,其中所述数据总线沿所述位线的布线方向布设。
4.权利要求3所述的半导体存储器,其中形成所述数据总线的布线层不同于所述位线的布线层,而所述数据总线的布线节距等于所述位线布线节距的整数倍。
5.权利要求2所述的半导体存储器,其中所述数据总线包括用于传送从所述存储单元读出的数据的读数据总线和用于传送将被写入所述存储单元内的数据的写数据总线。
6.权利要求5所述的半导体存储器,其中所述读数据总线与写数据总线中的至少之一由互补的数据线对构成。
7.权利要求5所述的半导体存储器,其中所述读数据总线与写数据总线都是单相的。
8.权利要求2所述的半导体存储器,其中所述数据总线是用于传送从所述存储单元读出的数据和拟写入所述存储单元的数据的输入-输出共用总线。
9.权利要求2所述的半导体存储器,其中还包括分别用于将所述位线连接到所述数据总线上的多个开关,而所述这多个开关则响应所述读出放大器的激活而同时接通。
10.权利要求2所述的半导体存储器,其中所述位线是由互补位线对组成而所述数据总线是由与此互补位线对对应的互补数据线对组成。
11.权利要求1所述的半导体存储器,其中还包括:用于将所述存储单元的存储节点分别连接到所述位线上的字线,而所述数据控制电路则将拟写入所述存储单元内的数据传送给所述位线,此传送是在写操作中于选择所述字线之前进行的。
12.权利要求1所述的半导体存储器,其中所述数据控制电路将拟写入所述存储单元内的数据传送给所述位线,而此传送是在写操作中于所述读出放大器放大这些存储单元中保持的数据之前进行的。
13.权利要求1所述的半导体存储器,其中用于选择所述存储单元的地址信号是从外部同时提供的。
14.权利要求13所述的半导体存储器,其中还包括用来将所述存储单元的存储节点分别与所述位线连接的字线,而所述字线则是用所有所述地址信号选择的。
15.权利要求1所述的半导体存储器,其中还包括用于将所述位线复位到预定电压的预充电控制电路,在写操作中,所述预充电控制电路在数据写入所述存储单元之前禁用。
16.权利要求1所述的半导体存储器,其中还包括多个可独立操作且各包括有所述存储单元、所述位线与所述读出放大器的存储体。
17.权利要求1所述的半导体存储器,其中还包括用于将所述存储单元的存储节点分别连接到所述位线上的字线,而所述字线是由主字线与副字线构成。
18.权利要求1所述的半导体存储器,其中所述数据控制电路将同时为所述读出放大器放大的所有数据依时分方式输出到外部,还将依时分方式从外部输入且同时地为所述读出放大器放大的所有数据写入这些存储单元内。
19.权利要求3所述的半导体存储器,其中所述数据总线是应用与所述位线的布线层不同的布线层形成,而所述数据总线的总数等于各由两条所述位线组成的位线对数的整数倍。
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