[发明专利]半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件

权利要求书

1.一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括：

氧化钴镧作为主组分；

选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及

B的氧化物。

2.如权利要求1所述的半导体陶瓷组合物，其特征在于所述选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.001-10摩尔％，B的氧化物的含量换算成元素B，为0.0001-5摩尔％。

3.如权利要求1或2所述的半导体陶瓷组合物，其特征在于氧化钴镧的形式为La_xCoO₃，其中0.60≤x≤0.99。

4.一种半导体陶瓷元件，它包括具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷和至少一对连接在所述半导体陶瓷上的电极，所述陶瓷包括：

氧化钴镧作为主组分；

选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及

B的氧化物。

5.如权利要求4所述的半导体陶瓷元件，其特征在于所述选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素，为0.001-10摩尔％，B的氧化物的含量换算成元素B，为0.0001-5摩尔％。

6.如权利要求4或5所述的半导体陶瓷元件，其特征在于氧化钻镧的形式为La_xCoO₃，其中0.60≤x≤0.99。

7.如权利要求4-6中任一项所述的半导体陶瓷元件，其特征在于它用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。