[发明专利]研磨用组合物及使用了该组合物的存储硬盘的制造方法

权利要求书

1.用于研磨存储硬盘的组合物，其特征在于，包含水，二氧化硅，氧化剂及至少1种选自苹果酸、马来酸、乳酸、乙酸、柠檬酸、琥珀酸、富马酸、乙醇酸、己二酸、抗坏血酸、衣康酸、亚氨基二乙酸、乙醛酸、甲酸、丙烯酸、巴豆酸、烟酸、柠康酸及酒石酸的有机酸，所述组合物的pH值在1以上但不到7，且组合物中实质上不含有金属离子。

2.如权利要求1所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，金属离子的含量在500ppm以下。

3.如权利要求1或2所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，二氧化硅为胶体二氧化碳。

4.如权利要求1～3的任一项所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，氧化剂为选自氯酸、高氯酸、硫酸、过硫酸、硝酸、过硝酸、过氧化氢、碘酸及高碘酸中的至少1种。

5.如权利要求4所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，氧化剂为过氧化氢。

6.如权利要求1～5的任一项所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，有机酸为选自苹果酸、马来酸、乳酸、衣康酸及乙酸中的至少1种。

7.如权利要求1～6的任一项所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，二氧化硅含量对应于研磨用组合物的重量为1～40％。

8.如权利要求1～7的任一项所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，氧化剂含量对应于研磨用组合物的重量为0.1～5％。

9.如权利要求1～8的任一项所述的用于研磨存储硬盘的组合物，其中，有机酸含量对应于研磨用组合物的重量为0.01～10％。

10.如权利要求1～9的任一项所述的用于研磨存储硬盘的组合物，所述组合物的pH值在2以上但不到4。

11.存储硬盘的制造方法，其特征在于，用权利要求1～9的任一项所述的研磨用组合物对表面粗度Ra在30埃以下的Ni-P盘进行研磨。

12.存储硬盘的制造方法，其特征在于，用权利要求1～9的任一项所述的研磨用组合物对预先已进行至少1次预研磨、表面粗度Ra在15埃以下的存储硬盘用基片进行精研磨。