[发明专利]层叠型复合器件及其制造方法

权利要求书

1.一种层叠型复合器件，具有组成互不相同的第一陶瓷层和第二陶瓷层的层叠构造，在各个陶瓷层的表面上形成一个或者多个电路元件图形，构成应当发挥预定功能的电子电路，其特征在于，在第一陶瓷层和第二陶瓷层之间插入中间层，该中间层的组成在厚度方向上变化，在与第一陶瓷层的接合面上，烧结时的收缩率具有与第一陶瓷层实质上相同的值，在与第二陶瓷层的接合面上，烧结时的收缩率具有与第二陶瓷层实质上相同的值。

2.根据权利要求1所述的层叠型复合器件，上述中间层包含构成第一陶瓷层的元素内的至少一种元素和构成第二陶瓷层的元素内的至少一种元素，在与第一陶瓷层的接合面附近，第一陶瓷层的上述元素的含量多于第二陶瓷层的上述元素，在与第二陶瓷层的接合面附近，第二陶瓷层的上述元素的含量多于第一陶瓷层的上述元素。

3.根据权利要求1所述的层叠型复合器件，上述中间层，在与第一陶瓷层的接合面附近具有与第一陶瓷层相同的组成，在与第二陶瓷层的接合面附近具有与第二陶瓷层相同的组成。

4.根据权利要求1所述的层叠型复合器件，上述中间层由具有10⁴Ωcm以上的电阻率的材料所形成。

5.根据权利要求1所述的层叠型复合器件，上述第一陶瓷层是磁性体，上述第二陶瓷层是介电体。

6.一种层叠型复合器件的制造方法，具有组成互不相同的第一陶瓷层和第二陶瓷层的层叠构造，在各个陶瓷层的表面上形成一个或者多个电路元件图形，把形成在多个陶瓷层上的多个电路元件图形相互连接起来，构成应当发挥预定功能的电子电路，该制造方法具有：

片制造工序，制造中间生片，在表面上形成一个或多个电路元件图形的第一生片和在表面上形成一个或多个电路元件图形的第二生片的组成在厚度方向变化，在一方的表面上，烧结时的收缩率具有与第一生片实质上相同的值，在另一方的表面上，烧结时的收缩率具有与第二生片实质上相同的值；

层叠体制造工序，在第一生片与第二生片之间以上述一方的表面向着第一生片侧同时上述另一方的表面向着第二生片侧的姿势夹入中间生片，制造由多层构成的层叠体；

烧结工序，烧结上述层叠体。

7.根据权利要求6所述的层叠型复合器件的制造方法，在上述片制造工序中，把第一生片和第二生片进行重合，在该状态下，对两片进行低温烧结，由此，来制造上述中间生片。

8.根据权利要求6所述的层叠型复合器件的制造方法，在上述片制造工序中，把成为第一生片的第一生料成型为带状，同时，把成为第二生片的第二生料成型为带状，并且把两个生料层相互重合，由此，制造上述中间生片。

9.根据权利要求8所述的层叠型复合器件的制造方法，对相互重合的两生料进行加热。

10.一种层叠型复合器件，具有组成互不相同的第一陶瓷层和第二陶瓷层的层叠构造，在各个陶瓷层的表面上形成一个或者多个电路元件图形，构成应当发挥预定功能的电子电路，其特征在于，在相互接触而配置的第一陶瓷层和第二陶瓷层内，至少一方的陶瓷层的组成在厚度方向上变化，在与另一方的陶瓷层的接合面上，烧结时的收缩率具有实质上与该另一方的陶瓷层相同的值。

11.根据权利要求10所述的层叠型复合器件，上述一方的陶瓷层包含构成上述另一方的陶瓷层的元素内的至少一种元素，该元素的含有率随着接近与上述另一方的陶瓷层的接合面而增大。

12.根据权利要求10所述的层叠型复合器件，上述一方的陶瓷层在与上述另一方的陶瓷层的接合面附近具有与上述另一方的陶瓷层相同的组成。

13.根据权利要求10所述的层叠型复合器件，第一陶瓷层是介电体，第二陶瓷层是磁性体。

14.根据权利要求10所述的层叠型复合器件，相互接触而配置的第一陶瓷层和第二陶瓷层的组成分别在厚度方向上变化，在两陶瓷层的接合面附近，烧结时的收缩率具有实质上相同的值。

15.一种生片，在具有组成互不相同的第一陶瓷层和第二陶瓷层的层叠构造的层叠型复合器件中，成为相互接触而配置的第一陶瓷层和第二陶瓷层内至少一方的陶瓷层的原材料，其特征在于，组成在厚度方向上变化，在与成为另一方的陶瓷层的生片的接合面上，烧结时的收缩率具有与该生片实质上相同的值。