[发明专利]高耐压半导体器件

权利要求书

1.一种高耐压半导体器件，其中包括：

第一导电型的半导体层；

形成在上述第一导电型的半导体层内的第二导电型的漏极偏置(offset)扩散区；

从上述漏极偏置扩散区隔离开并且形成在上述第一导电型半导体层内的第二导电型的源极扩散区；

形成在上述漏极偏置扩散区内的第二导电型的漏极扩散区；

埋入在上述漏极偏置扩散区内，且至少其一部分与上述第一导电型半导体层电气连接的第一导电型埋入扩散区；

形成在上述第一导电型半导体层中，位于上述源极扩散区和上述漏极偏置扩散区之间的那一部分上的栅极绝缘膜；

形成在上述栅极绝缘膜上的栅极；

形成在上述漏极偏置扩散区上的场绝缘膜；

至少一个在上述场绝缘膜上以电浮动状态形成的板式电极；

形成在上述场绝缘膜以及上述至少一个板式电极上的层间绝缘膜；

形成在位于上述至少一个板式电极上的上述层间绝缘膜上，且其一部分与上述漏极扩散区电气连接，且与上述至少一个板式电极电容耦合的金属电极。

2.根据权利要求第1项所述的高耐压半导体器件，其中：

上述漏极扩散区形成于上述漏极偏置扩散区的中央部，且从上述半导体层法线方向看上去是近似圆形的形状；

上述源极扩散区，隔着上述外周一定的距离形成在上述半导体层内，以使它包围上述漏极偏置扩散区的外周；

上述埋入扩散区，被埋入在上述漏极偏置扩散区内，包围上述漏极扩散区的上述近似圆形的外周。

3.根据权利要求第2项所述的高耐压半导体器件，其中：

上述至少一个板式电极是，多个以上述漏极扩散区为中心分别形成为同心圆的圆环状的电极。

4.根据权利要求第3项所述的高耐压半导体器件，其中：

上述金属电极具有隔着上述层间绝缘膜位于上述圆形状的多个电极上的多个圆环状的金属电极、和分别将上述多个圆环状的金属电极电气连接起来的连接部，

通过上述层间绝缘膜，每个上述多个圆环状的电极和每个上述多个圆环状的金属电极电容耦合。

5.根据权利要求第3项所述的高耐压半导体器件，其中：

上述金属电极包括：从上述半导体层的法线方向看上去，以上述漏极扩散区为中心，覆盖到上述圆环状的多个电极中最靠近上述漏极扩散区的圆环状电极的外缘的部分。

6.根据权利要求第1项所述的高耐压半导体器件，其中：

位于至少上述一个板式电极上面的上述金属电极的宽度，比该至少一个板式电极的宽度窄。

7.根据权利要求第1项所述的高耐压半导体器件，其中：

上述金属电极，从上述半导体层的法线方向看上去，在上述层间绝缘膜上具有穿过上述至少一个板式电极的一部分的延伸部分。

8.根据权利要求第1项至第7项中的任意一项所述的高耐压半导体器件，其中：

又具有在上述金属电极以及上述层间绝缘膜上形成的表面保护膜，和在上述表面保护膜上形成的密封树脂部。

9.根据权利要求第8项所述的高耐压半导体器件，其中：

上述表面保护膜，为包括由聚酰亚胺系树脂构成的上层和由无机系材料构成的绝缘层作它下面的下层的多层膜。

10.根据权利要求第1项至第7项中任一项所述的高耐压半导体器件，其中：上述半导体层为半导体衬底。

11.根据权利要求第1项至第7项中任一项所述的高耐压半导体器件，其中：

上述第一导电型半导体层形成在至少在其表面上形成了绝缘层的衬底上。