[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

构成浮栅下部的第一半导体膜，所述浮栅经由隧道绝缘膜形成在半导体衬底的器件形成区域上；

形成在第一半导体膜、隧道绝缘膜和半导体衬底中的器件隔离凹槽，与器件形成区域邻接；

埋置在器件隔离凹槽中的器件隔离绝缘膜；

形成在第一半导体膜上的第二半导体膜，作为浮栅的上部，并且具有在横向延伸的延伸部分，以使膜厚度从器件形成区域到器件隔离绝缘膜连续地减薄。

形成在第二半导体膜上的绝缘膜；

经由绝缘膜形成在浮栅上的控制栅。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中，浮栅上部具有宽度比下部更宽的一部分。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中，浮栅的上表面在从器件形成区域到器件隔离绝缘膜的方向具有弯曲的斜面。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中，第一半导体膜和第二半导体膜分别由多晶硅形成。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中，隧道绝缘膜由ONO膜形成。

6.一种半导体器件制造方法，包括以下工序：

在半导体衬底上形成隧道绝缘膜；

在隧道绝缘膜上形成第一半导体膜，构成浮栅下部；

通过腐蚀第一半导体膜的器件隔离区、隧道绝缘膜和半导体衬底，形成器件隔离凹槽；

在器件隔离凹槽中和第一半导体膜上形成器件隔离绝缘膜；

从第一半导体膜之上的区域去除该器件隔离绝缘膜，以及减薄器件隔离凹槽之上的器件隔离绝缘膜；

选择性地生长第二半导体膜在第一半导体膜上用作浮栅上部，以及在器件隔离绝缘膜上生长第二半导体膜，从器件隔离绝缘膜横向延伸；

在浮栅上形成绝缘膜；

在绝缘膜上形成导电膜用作控制栅。

7.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，隧道绝缘膜由ONO膜形成。

8.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中进一步包括以下工序：

在形成器件隔离凹槽之前，在第一半导体膜上形成抛光终止膜；

通过腐蚀器件隔离区上形成的所述抛光终止膜，形成器件隔离凹槽的顶端；

通过抛光终止膜在第一半导体膜上形成器件隔离绝缘膜；

抛光器件隔离绝缘膜，从抛光终止膜顶面去除，并且减薄器件隔离凹槽之上的器件隔离绝缘膜；

在生长第二半导体膜之前去除该抛光终止膜。

9.根据权利要求8的半导体器件制造方法，其中，第一半导体膜和第二半导体膜分别由多晶硅形成，并且抛光终止膜由氮化硅膜形成。

10.根据权利要求8的半导体器件制造方法，进一步包括以下工序，在从抛光终止膜上表面去除器件隔离绝缘膜之后，但是在形成第二半导体膜之前，通过进一步减薄器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜，使得器件隔离凹槽上形成的器件隔离绝缘膜的上表面比第一半导体膜的上表面低。

11.根据权利要求10的半导体器件制造方法，其中，采用过抛光或选择腐蚀，进行器件隔离区中的器件隔离绝缘膜的减薄。

12.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中进一步包括以下工序，在从第一半导体膜上表面去除器件隔离绝缘膜之后，但是在形成第二半导体膜之前，通过进一步减薄器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜，使得器件隔离凹槽上形成的器件隔离绝缘膜的上表面比第一半导体膜的上表面低。

13.根据权利要求12的半导体器件制造方法，其中，采用过抛光或选择腐蚀，进行器件隔离区中的器件隔离绝缘膜的减薄。

14.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，采用化学机械抛光方法，同时地进行器件隔离绝缘膜从器件形成区域的去除以及器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜的减薄。

15.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，形成第二半导体膜的侧表面，使得器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜上具有平滑曲面。

16.根据权利要求6的半导体器件制造方法，其中，通过使用含有硅和氯的气体的汽相淀积，进行第二半导体膜的选择性生长。