[发明专利]补偿半导体元件的结电容的温度依存性的电容器制造方法

权利要求书

1.一种薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

把电容温度系数的绝对值为50ppm/℃以下的所述的第一电介质薄膜和所述电容温度系数为负的第二电介质薄膜叠层，得到具有所希望的薄板电容值和电容温度系数的薄膜电容器；

当所述第二电介质薄膜的晶体结构是具有主晶粒和包围该主晶粒的晶界层的主晶粒结构单位的集合体，多个所述主晶粒结构单位结合，构成所述第二电介质薄膜时，

当设所述第二电介质薄膜的电容温度系数为τ，所述第二电介质薄膜的介电常数为κ，所述第二电介质薄膜的膜厚度t_N为t_N＝{ε_oτ_tot/(C/S)}·{1/(τ/κ)}，主晶粒的τ/κ为τ_g/κ_g时，

利用所述主晶粒的晶粒直径的大小，选择(τ/κ)/(τ_g/κ_g)的值超过1的主晶粒直径区域，来决定晶粒直径的目标值，并通过控制所述主晶粒的粒子直径，使其达到所述目标值，来形成所述第二电介质薄膜，据此，使该第二电介质薄膜的膜厚度变薄，形成薄膜电容器；

所述C/S为薄板电容值，所述ε_oτ_tot为所希望的电容温度系数。

2.一种薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

把电容温度系数的绝对值为50ppm/℃以下的第一电介质薄膜、所述电容温度系数为负的第二电介质薄膜叠层，得到具有所希望的薄板电容值和电容温度系数的薄膜电容器；

当所述第二电介质薄膜的晶体结构是具有主晶粒和包围该主晶粒的晶界层的主晶粒结构单位的集合体，把多个所述主晶粒结构单位结合，构成所述第二电介质薄膜时，

当设所述晶界层的厚度为2Δa，包含所述主晶粒和存在于该主晶粒周围的晶界层的一半的膜厚度Δa的晶界层的主晶粒结构单位的膜面方向的宽度为a，膜的厚度方向的高度为b，所述第二电介质薄膜的电容温度系数为τ，所述第二电介质薄膜的介电常数为κ，所述第二电介质薄膜的膜厚度t_N为t_N＝{ε_oτ_tot/(C/S)}·{1/(τ/κ)}，主晶粒的(τ/κ)为(τ_g/κ_g)时，

当把b/a作为常数时，在a/2Δa和τ/κ的关系中，选择a/2Δa的值，使{(τ/κ)/(τ_g/κ_g)}的值在超过1的区域中，从而求出目标主晶粒直径的范围，并通过在该主晶粒直径的范围内形成所述第二电介质薄膜，来使所述第二电介质薄膜的膜厚度薄膜化，据此来制造薄膜电容器；

所述C/S为薄板电容值，所述ε_oτ_tot为所希望的电容温度系数。