[发明专利]半导体装置及其设计方法无效
申请号: | 02108725.3 | 申请日: | 2002-03-29 |
公开(公告)号: | CN1379471A | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
发明(设计)人: | 芳贺亮 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 设计 方法 | ||
1.一种半导体装置,包括:
具有第一功能的第一半导体电路;
具有与上述第一功能不同的第二功能的第二半导体电路;以及
设置于上述第二半导体电路内部、具有上述第一功能的一部分的第三半导体电路,此第三半导体电路与上述第二半导体电路之间不进行信号收发,独立于上述第二半导体电路而动作。
2.如权利要求1的半导体装置,其中:上述第二半导体电路的输入输出信号对上述第三半导体电路的动作没有影响。
3.如权利要求1的半导体装置,其中:上述第三半导体电路包含生成时钟的时钟发生器,上述时钟发生器包含有用来决定上述时钟的脉冲宽度的延时电路,
上述第一半导体电路的至少一部分响应于上述时钟而动作。
4.如权利要求1的半导体装置,其中:上述第一半导体电路包含时钟发生器的一部分,上述第三半导体电路包含用来决定上述时钟发生器生成的时钟的脉冲宽度的延时电路,
在上述第一半导体电路内,构成上述时钟发生器的区域以外的至少一部分响应于上述时钟而动作。
5.如权利要求3的半导体装置,其中:还包括设置于上述第二半导体电路内、具有第三功能的第四半导体电路,上述第四半导体电路在上述第二半导体电路的测试时动作,上述第四半导体电路根据从第二半导体电路发出的命令控制上述第三半导体电路内的上述延时电路的延时。
6.如权利要求1的半导体装置,其中:
上述第二半导体电路具有半导体存储器的功能,
上述第一半导体电路具有对上述第二半导体电路的上述半导体存储器的功能进行测试的测试电路的功能。
7.如权利要求1的半导体装置,其中:上述第三半导体电路包含熔丝元件,上述第一半导体电路的动作由写入到上述熔丝元件中的数据进行控制。
8.如权利要求1的半导体装置,其中:
上述第三半导体电路包含根据上述第二半导体电路的规格输出固定电位的固定电位输出电路,
上述第一半导体电路包含根据上述固定电位控制上述第二半导体电路的动作的控制电路。
9.如权利要求1的半导体装置,其中:上述第二半导体电路的形状为矩形。
10.如权利要求1的半导体装置,其中:
上述第一半导体电路是利用自动设计方法进行设计的,
上述第二、第三半导体电路是利用手工设计方法进行设计的。
11.一种半导体装置,包括:
具有第一功能的第一半导体电路;
具有第二功能的第二半导体电路,上述第二半导体电路和上述第一半导体电路之间进行信号的收发;
具有与上述第一、第二功能不同的第三功能的第三半导体电路;上述第一、第二半导体电路夹着上述第三半导体电路相对置;以及
设置于上述第三半导体电路内部的第四半导体电路,上述第四半导体电路不与上述第三半导体电路之间进行信号收发,独立于上述第三半导体电路而动作,上述第四半导体电路包含连接上述第二半导体电路的连接布线的一部分。
12.如权利要求11的半导体装置,其中:包含在上述第四半导体电路中的上述连接布线的布线密度与包含在上述第三半导体电路中的金属布线层的布线密度实质上相同。
13.如权利要求11的半导体装置,其中:上述第四半导体电路还具有缓冲器,上述缓冲器对经过上述连接布线的传送的信号波形整形。
14.如权利要求11的半导体装置,其中:包含在上述第四半导体电路中的上述连接布线与包含在上述第三半导体电路中的上述金属布线层设置于同一水平上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的