[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，在由第1导电型的第1阱区、在上述第1阱区上形成的与上述第1导电型不同的第2导电型的第1杂质扩散区、与上述第1阱区相邻的上述第2导电型的第2阱区和在上述第2阱区上形成的上述第1导电型的第2杂质扩散区构成晶体管存储电路的半导体存储装置中，其特征在于：

在上述第1阱区上形成不构成上述晶体管存储电路的上述第2导电型的第3杂质扩散区，

在上述第2阱区上形成不构成上述晶体管存储电路的上述第1导电型的第4杂质扩散区。

2.一种半导体存储装置，在将由第1导电型的第1阱区、在上述第1阱区上形成的与上述第1导电型不同的第2导电型的第1杂质扩散区、与上述第1阱区相邻的上述第2导电型的第2阱区和在上述第2阱区上形成的上述第1导电型的第2杂质扩散区构成的多个晶体管存储电路相对配置使它们分别共有上述第1阱区和上述第2阱区的半导体存储装置中，其特征在于：

在共有的上述第1阱区上形成不构成上述晶体管存储电路的上述第2导电型的第3杂质扩散区，使其为相对的晶体管存储电路之间所共有，

在共有的上述第2阱区上形成不构成上述晶体管存储电路的上述第1导电型的第4杂质扩散区，使其为相对的晶体管存储电路之间所共有。

3.权利要求1或2记载的半导体存储装置，其特征在于：在上述第2阱区上形成用来构成多端口的晶体管存储电路的上述第1导电型的第5杂质扩散区。

4.权利要求3记载的半导体存储装置，其特征在于：上述第4杂质扩散区在上述第2杂质扩散区和上述第5杂质扩散区之间形成。

5.权利要求4记载的半导体存储装置，其特征在于：上述第3杂质扩散区和上述第4杂质扩散区具有延伸的形状，使其为配置在与上述晶体管存储电路间的相对的方向垂直的方向上的多个存储器单元之间所共有。

6.权利要求1～5的任何一项记载的半导体存储装置，其特征在于：上述第3杂质扩散区与加规定电位的电位线连接。

7.权利要求6记载的半导体存储装置，其特征在于：上述规定电位是上述晶体管存储电路的电源电位或该电源电位以上的电位。

8.权利要求1～7的任何一项记载的半导体存储装置，其特征在于：上述第4杂质扩散区与加规定电位的电位线连接。

9.权利要求8记载的半导体存储装置，其特征在于：上述规定电位是接地电位或该接地电位以下的电位。

10.权利要求1～9的任何一项记载的半导体存储装置，其特征在于：上述第3杂质扩散区的杂质浓度比上述第1杂质扩散区的杂质浓度大。

11.权利要求1～10的任何一项记载的半导体存储装置，其特征在于：上述第4杂质扩散区的杂质浓度比上述第2杂质扩散区的杂质浓度大。

12.一种半导体存储装置，在由第1导电型的第1阱区、在上述第1阱区上形成的与上述第1导电型不同的第2导电型的第1杂质扩散区、与上述第1阱区相邻的上述第2导电型的第2阱区和在上述第2阱区上形成的上述第1导电型的第2杂质扩散区构成晶体管存储电路的半导体存储装置中，其特征在于：

包括与上述第1阱区相邻形成的不构成晶体管存储电路的上述第2导电型的第3阱区和与上述第2阱区相邻形成的不构成上述晶体管存储电路的上述第1导电型的第4阱区。

13.一种半导体存储装置，在将由第1导电型的第1阱区、在上述第1阱区上形成的与上述第1导电型不同的第2导电型的第1杂质扩散区、与上述第1阱区相邻的上述第2导电型的第2阱区和在上述第2阱区上形成的上述第1导电型的第2杂质扩散区构成的多个晶体管存储电路配置成使上述第1杂质扩散区之间和上述第2杂质扩散区之间分别相对的半导体存储装置中，其特征在于：

包括在上述第1阱区之间与该第1阱区相邻形成的不构成上述晶体管存储电路的上述第2导电型的第3阱区和在上述第2阱区之间与该第2阱区相邻形成的不构成晶体管存储电路的上述第1导电型的第4阱区。

14.权利要求12或13记载的半导体存储装置，其特征在于：在上述第2阱区上形成用来构成多端口的晶体管存储电路的上述第1导电型的第5杂质扩散区。