[发明专利]聚合物合成和由聚合物制得的膜无效
申请号: | 02119072.0 | 申请日: | 2002-03-26 |
公开(公告)号: | CN1384123A | 公开(公告)日: | 2002-12-11 |
发明(设计)人: | R·H·戈尔;M·K·加拉格尔;Y·尤 | 申请(专利权)人: | 希普雷公司 |
主分类号: | C08F20/06 | 分类号: | C08F20/06;C08F2/04;C08L33/00;C08K5/00;B32B27/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈季壮 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合物 合成 | ||
1.一种制备多数交联溶液聚合物粒子的方法,包括下列步骤:a)提供包括一种或多种单体,和一种或多种交联剂的单体进料;b)提供包括聚合引发剂的聚合引发剂进料;c)提供含有一种或多种反应溶剂的反应容器;d)加热一种或多种反应溶剂到足够激活聚合引发剂的温度;和e)以一定的速率将引发剂进料和单体进料加入到反应容器中,以使一种或多种单体在一种或多种反应溶剂中的浓度基本上不变。
2.根据权利要求1所述的方法,其中单体进料和聚合物引发剂进料在加入到反应容器中之前混合。
3.根据权利要求1~2的任一项所述的方法,其中聚合物引发剂是自由基引发剂。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的方法,其中至少一种单体选自:(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸链烯基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、乙烯基芳族单体、含氮的化合物、含氮的化合物的硫代类似物或取代的乙烯单体。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的方法,其中交联聚合物粒子的平均粒子尺寸为0.75~100nm。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的方法,其中一种或多种交联剂选自:三乙烯基苯、二乙烯基甲苯、二乙烯基吡啶、二乙烯基萘和二乙烯基二甲苯;和如二丙烯酸乙二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二乙二醇二乙烯基醚、三乙烯基环己烷、甲基丙烯酸烯丙酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸丙二醇酯、二丙烯酸丙二醇酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、2,2-二基丙烷1,3-二丙烯酸酯、二丙烯酸1,3-丁二醇酯、二甲基丙烯酸1,3-丁二醇酯、二丙烯酸1,4-丁二醇酯、二丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二丙烯酸1,6-己二醇酯、二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二丙烯酸四乙二醇酯、聚乙二醇200甲基丙烯酸酯、二甲基丙烯酸四乙二醇酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯、二丙烯酸乙氧基化双酚A酯、二甲基丙烯酸乙氧基化双酚A酯、聚乙二醇600二甲基丙烯酸酯、聚(丁二醇)二丙烯酸酯、三丙烯酸季戊四醇酯、三羟甲基丙烷丙氧基化物三丙烯酸酯、三丙烯酸甘油丙氧酯、四丙烯酸季戊四醇酯、四甲基丙烯酸季戊四醇酯、单羟基五丙烯酸二季戊四醇酯、二乙烯基硅烷、三乙烯基硅烷、二甲基二乙烯基硅烷、二乙烯基甲基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、二苯基二乙烯基硅烷、二乙烯基苯基硅烷、三乙烯基苯基硅烷、二乙烯基甲基苯基硅烷、四乙烯基硅烷、二甲基乙烯基二硅氧烷、聚(甲基乙烯基硅氧烷)、聚(乙烯基氢硅氧烷)或聚(苯基乙烯基硅氧烷)。
7.一种多个交联溶液聚合物粒子,其中聚合物粒子的平均粒子尺寸≤30nm,粒子尺寸多分散性为1~15。
8.一种多数平均粒子尺寸≤10nm的交联溶液聚合物粒子,其中多数聚合物粒子基本上没有粒子尺寸为30nm或更大的聚合物粒子。
9.一种组合物,包括一种或多种B-态介电材料和多数平均粒子尺寸≤30nm、粒子尺寸多分散性为1~15的交联溶液聚合物粒子。
10.一种组合物,包括一种或多种B-态介电材料和多数平均粒子尺寸≤10nm的交联溶液聚合物粒子,其中多数聚合物粒子的基本上没有粒子尺寸为30nm或更大的聚合物粒子。
11.一种多孔介电基体材料,包括多数平均粒子尺寸≤5nm的孔。
12.一种电子器件,包括一层或多层介电基体材料,该材料含有多数平均直径≤5nm的孔。
13.一种制造电子器件的方法,包括以下步骤:a)在基材上沉积组合物层,组合物包括B-态介电材料,这种材料的多数交联溶液聚合物成孔剂分散在该介电材料中,其中该聚合物成孔剂的平均粒子尺寸≤5nm;b)在基本上没有除去成孔剂的条件下固化该B-态介电材料以形成介电基体材料;c)在基本上没有降解该介电材料的条件下将该介电材料放在至少部分除去成孔剂的条件下以形成多孔介电材料层;d)使介电层上形成图案;e)在带图案的介电层上沉积一层金属膜;和f)平整膜以形成电子器件。
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