[发明专利]半导体器件的测量、检查、制造方法及其检查装置有效
申请号: | 02119364.9 | 申请日: | 2002-05-15 |
公开(公告)号: | CN1385888A | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
发明(设计)人: | 广木正明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28;G02F1/136;G09F9/33;G09F9/35 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明,张志醒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 测量 检查 制造 方法 及其 装置 | ||
技术领域
本发明涉及到一种测量方法,其中半导体器件的电路或电路元件被运行并从电路或电路元件读出其输出,本发明还涉及到一种利用此测量方法来检查象素部分工作是否正常的检查方法。更确切地说,本发明涉及到一种非接触型的检查方法以及一种采用此非接触型检查方法的非接触型检查装置。本发明还涉及到一种制造半导体器件的方法,它包括采用此检查方法的检查步骤,并涉及到一种用此制造方法制造的半导体器件。而且,本发明涉及到一种制造元件衬底的方法,它包括采用此检查方法的检查步骤,并涉及到用此制造方法制造的元件衬底。
背景技术
近年来,已经注意到利用制作在具有绝缘表面的衬底上的半导体膜(厚度约为几毫微米到几百毫微米)来制作薄膜晶体管(TFT)的技术。这是因为对包括在半导体器件范畴中的有源矩阵半导体显示器件的需求已经增加。有源矩阵半导体显示器件的典型例子包括液晶显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、以及数字微镜器件(DMD)。
在晶体结构的半导体膜被用作有源层的TFT(晶体TFT)中,能够获得高的迁移率。因此,借助于制作一个衬底上集成有功能电路的这种TFT,有可能实现能够高分辨率显示图象的有源矩阵半导体显示器件。
借助于执行各种制造工艺而完成有源矩阵半导体显示器件。例如,制造有源矩阵液晶显示器的主要工艺是:用来执行半导体膜的制作和形成图形的图形制作工艺、用来实现彩色显示的滤色器制作工艺、借助于将液晶包封在具有包括半导体的器件的元件衬底与具有反电极的反衬底之间而形成液晶屏的液晶盒装配工艺、以及借助于将液晶屏工作所需的驱动元件和后照光安置到液晶盒装配工艺中装配的液晶屏而完成液晶显示器的模块装配工艺。
一般地说,上述各个工艺都包括检查步骤,虽然其中对检查步骤的要求根据液晶显示器的种类而或多或少变化。如果在其成为产品之前,能够在制造工艺早期将有缺陷的挑拣出来,则能够免去对有缺陷的屏执行后续工艺。因此,检查步骤在降低制造成本方面是极为有效的。
图形制作工艺包括图形制作之后的缺陷检查作为其检查步骤之一。
图形制作之后的缺陷检查是在图形制作之后用来探测由于半导体膜、绝缘膜和布线图形(以下简称为图形)的宽度变化而出现故障的部分或布线被尘埃或被薄膜制作失效所断开或短路的部分,或用来确定被检查的电路或电路元件是否正常工作的一种检查。
这种缺陷检查方法通常分为光学检查方法和探针检查方法。
光学检查方法是一种借助于用CCD之类读取制作在衬底上的图形并将读出的图形与参考图形进行比较而确定失效部分(缺陷)的方法。探针检查方法是一种借助于在衬底侧端子上建立细针(探针)并测量各个探针之间的电流或电压而确定该部分是否有缺陷的方法。通常,前者称为非接触型检查方法,而后者称为触针型检查方法。
虽然利用这些检查方法中的任何一种都有可能确定元件衬底是否有缺陷,但每一种检查方法都有优点和缺点。
光学检查方法的问题是,若在完成多个层状图形的制作之后执行检查,则难以确认下面各个层中的各个图形,因而难以借助于执行有缺陷部分的探测而确定电路或电路元件是否有缺陷。为了避免这一问题,可以每制作一个图形就执行检查。但在这种情况下,检查步骤就复杂化了,并增加了执行整个制造工艺所需的时间。探针检查方法的问题是,当探针被直接建立在布线或探针端子上时,布线或探针端子有可能被刮搽,从而产生细小的尘埃。检查步骤中产生的尘埃成为不希望有的结果亦即降低后续工艺成品率的一个原因。
发明内容
考虑到上述问题而提出了本发明,本发明的目的是建立一种进一步被简化了的不要求在布线或探针端子上建立探针的检查方法,并提供一种采用此检查方法的检查装置。
本发明的发明人设想,借助于用电磁感应而不建立探针,使布线中产生电动势,能够使电流在元件衬底上的布线中流动。
更具体地说,分别提供用于元件衬底检查的衬底(检查衬底)。检查衬底具有用于输入的初级线圈(在本说明书中称为“输入初级线圈”或“第一初级线圈”)和用于输出的次级线圈(以下称为“输出次级线圈”或“第二次级线圈”)。被检查的元件衬底具有用于输入的次级线圈(以下称为“输入次级线圈”或“第一次级线圈”)和用于输出的初级线圈(以下称为“输出初级线圈”或“第二初级线圈”)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造