[发明专利]非线性元件和电光学装置及其制造方法以及电子仪器无效
申请号: | 02121713.0 | 申请日: | 2002-04-03 |
公开(公告)号: | CN1384395A | 公开(公告)日: | 2002-12-11 |
发明(设计)人: | 渡边吉祥;关琢巳;直野秀昭;田口聪志 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;H01L21/324 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张天安,郑建晖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非线性 元件 光学 装置 及其 制造 方法 以及 电子仪器 | ||
1、一种非线性元件的制造方法,该非线性元件是将第一金属膜,绝缘膜和第二金属膜按其顺序层叠而成的,其特征在于:进行形成上述第一金属膜的第一金属膜形成工序,形成上述第二金属膜的第二金属膜形成工序,在上述第一金属膜形成工序以后,直到进行上述第二金属膜形成工序的期间,在规定的氛围中进行在高压下退火的高压退火处理。
2、如权利要求1所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述第一金属膜由至少含Ta的金属膜构成。
3、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:在上述第一金属膜形成工序后,进行在上述第一金属膜的表面上进行阳极氧化以形成上述绝缘膜的绝缘膜形成工序;
接着,在惰性气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中进行上述退火处理;
然后,在上述第二金属膜形成工序中,在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
4、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:在上述第一金属膜形成工序后,在含水蒸气的氛围中进行上述退火处理使上述第一金属膜的表面氧化;
接着,通过对上述第一金属表面进行阳极氧化进行形成上述绝缘膜的绝缘膜形成工序;
然后,在上述第二金属膜形成工序中,在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
5、如权利要求3或4所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述高压退火处理在温度100℃以上、600℃以下,压力0.5MPa以上、3MPa以下的条件下进行。
6、如权利要求5所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述高压退火处理在温度150℃以上、300℃以下,压力0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行。
7、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:在上述第一金属膜形成工序后,在含水蒸气氛围中进行上述高压退火,使上述第一金属膜的表面氧化以形成上述绝缘膜;
然后,在上述第二金属膜形成工序中,在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
8、如权利要求7所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:在进行上述高压退火处理后,在低于该高压退火处理的压力下进行对上述绝缘膜退火的再退火处理。
9、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:在进行上述第一金属膜形成工序后,进行在上述第一金属的表面上形成第三金属膜的第三金属膜形成工序;
接着,在含水蒸气的氛围中进行高压退火处理,使上述第三金属膜氧化以形成绝缘膜;
然后,在上述第二金属膜形成工序中,在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
10、如权利要求9所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述第三金属膜由至少含Ta的金属膜构成。
11、如权利要求9或10所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:在进行上述高压退火处理后,在低于该高压退火处理的压力下进行对上述绝缘膜退火的再退火处理。
12、如权利要求8或11所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:在进行上述再退火处理后,在上述第二金属膜形成工序中,在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
13、如权利要求8、11或12所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述再退火处理通过在含水蒸气或氮的氛围中进行而使上述绝缘膜结晶化。
14、如权利要求8、11、12或13所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述再退火处理在温度100℃以上、500℃以下的条件下进行。
15、如权利要求7至14中任一项所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述高压退火处理在温度250℃以上、600℃以下,压力在0.5MPa以上、3MPa以下的条件下进行。
16、如权利要求15所述的非线性元件的制造方法,其特征在于:上述高压退火处理在温度300℃以上、400℃以下,压力在0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行。
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