[发明专利]非线性元件和电光学装置及其制造方法以及电子仪器

说明书

技术领域

本发明涉及非线性元件的制造方法、电光学装置的制造方法、电光学装置和电子仪器，特别是涉及构成非线性元件的绝缘膜的形成技术。

背景技术

近年来，以液晶装置和EL(电致发光)显示面板为代表的电光学装置作为便携式电话机和便携式计算机、电视摄象机等电子仪器的显示部广泛普及。

在上述的电光学装置中，例如液晶装置中用薄膜二极管(Thin FilmDiode，以下简称TFD)元件作为象素开关元件用的非线性元件进行有源驱动是公知的。

这种液晶装置中，保持液晶的一对基板在一个基板上形成TFD元件和象素电极，在另一基板上形成条状对置电极(信号电极)。其中，TFD元件例如通过下述方式制造：在基板表面上形成Ta膜或Ta合金膜等第一金属膜后，通过对该第一金属膜进行阳极氧化处理在该第一金属膜的表面上形成绝缘膜，然后在该绝缘膜的表面上形成第二金属膜。

发明内容

在用TFD元件作为非线性元件的液晶装置中，TFD元件的电流一电压特性上非线性高的液晶装置可将液晶装置的驱动电压设定得较低，并且可以进行高对比度高的显示。根据这个见解，要对作为使TFD元件的特性提高的技术例如在特开平08-830953号公报中那样使绝缘膜在水蒸气氛围下退火进行绝缘膜的改性这样的方法作进一步改进。

另外，为抑制在TFD相对施加电压正负的元件中流过的电流差(极性差)而通常用使TFD元件串联的背靠背(Back to Back)的构造的TFD元件。在该背靠背构造的情况下，在用阳极氧化形成绝缘膜的工序中，因为必需向元件部供电而进行流过变成TFD元件的部分和用于阳极氧化的电流的配线必需用桥接部连接的构成进行阳极氧化。因此用阳极氧化的绝缘膜形成后，必需切断TFD元件和阳极氧化时的供电用配线的桥接部，从而存在引起制造工序数目的增加这类问题。

鉴于以上问题，本发明的目的是提供一种能使TFD元件的非线性等的电特性进一步提高的非线性元件的制造方法，电光装置的制造方法，电光学装置和电子仪器。

另外，本发明的目的是提供一种能减少非线性元件的制造工序数、用低成本制造的非线性元件的制造方法。

为了解决上述问题，按照本发明，在将第一金属膜，绝缘膜和第二金属膜按其顺序层叠的非线性元件的制造方法中，进行形成上述第一金属膜的第一金属膜形成工序，形成上述第二金属膜的第二金属膜形成工序，在上述第一金属膜形成工序以后，直到进行上述第二金属膜形成工序的期间，在规定的氛围中进行在高压下退火的高压退火处理。

按照本发明，在改质通过阳极氧化形成的绝缘膜情况下，在不活泼气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中进行退火处理。如上所述，在规定的氛围中以高压进行退火处理时，与在水蒸气等中在常压下进行退火处理的情况相比较，可以使非线性元件的电流一电压特性的非线性更进一步提高，因此可以在液晶装置中设定低驱动电压，并且可以提高对比度等，进行高质量的显示。

在本发明中，上述第一金属膜例如由至少含Ta的金属膜构成。

在本发明中，例如在上述第一金属膜形成工序后，进行通过在上述第一金属膜的表面上进行阳极氧化形成上述绝缘膜的绝缘膜形成工序，接着，在惰性气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中进行上述退火处理，然后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。这时，上述高压退火处理在例如在温度100℃以上、600℃以下，压力0.5MPa以上、5MPa以下的条件下，最好在温度150℃以上、300℃以下，压力0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行。因为一这样构成，就可以改质通过阳极氧化形成的绝缘膜，所以可以在非线性元件中提高电流一电压特性的非线性。并且，如在高压下进行退火处理，则因为与现有技术中的退火处理相比较可以在低温下获得同样的效果，所以可以防止基板的变形等。