[发明专利]用于连续横向固化的非晶硅淀积有效
| 申请号： | 02122109.X | 申请日： | 2002-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1388565A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 郑允皓 | 申请（专利权）人： | LG.飞利浦LCD有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;C30B1/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 连续 横向 固化 非晶硅淀积 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶化方法，包括以下步骤：
在一个透明衬底上形成一缓冲层；
在缓冲层上淀积厚度为600到900埃的非晶硅层；
使用一个能完全熔化非晶硅层的一个区域的激光束重复地照射非晶硅层；和
在两次照射之间把激光束移动一个平移距离。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在两次照射之间把硅层退火。
3.根据权利要求1所述的方法，其中激光束的能量密度在310和515mJ/cm2之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中最大平移距离的范围是0.2到1.0微米。
5.根据权利要求1所述的方法，其中最小平移距离的范围是0.04到0.1微米。
6.一种晶化方法，包括以下步骤：
在一个透明衬底上形成一缓冲层；
在缓冲层上淀积厚度为900到2000埃的非晶硅层；
使用一个能完全熔化非晶硅层的一个区域的激光束重复地照射非晶硅层；和
在两次照射之间把激光束移动一个平移距离。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在两次照射之间把硅层退火。
8.根据权利要求6所述的方法，其中激光束的能量密度在310和515mJ/cm2之间。
9.根据权利要求6所述的方法，其中最大平移距离的范围是0.2到1.0微米。
10.根据权利要求6所述的方法，其中最小平移距离的范围是0.04到0.1微米。
11.根据权利要求6所述的方法，其中缓冲层上淀积的非晶硅层的厚度是1000埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
