[发明专利]非易失性半导体存储装置

权利要求书

1.一种非易失性半导体装置，其特征在于：

具有

存储单元阵列区，将多个拥有由1个字栅和第1、第2控制栅控制的第1、第2非易失性存储元件的双存储单元分别在行方向和列方向排列而构成；

控制栅驱动部，驱动上述存储单元阵列区内的上述多个双存储单元的各自的上述第1、第2控制栅，

上述存储单元阵列区，具有按上述行方向分割的多个扇区，

上述多个扇区，各自具有按上述列方向分割的多个块区，

上述控制栅驱动部，具有与上述多个块区的每1个分别相对应的多个控制栅驱动器，上述多个控制栅驱动器，能够将各自对应的1个块区内的上述第1、第2控制栅电位独立于其它块区进行设定。

2.权利要求1所记载的非易失性半导体装置，其特征在于：

在上述多个块区，各自设置第1～第4控制栅线，上述第1～第4控制栅线可各自将分别连接按上述行方向接邻的一侧的上述双存储单元的上述第1控制栅和另一侧的上述双存储单元的上述第2控制栅的控制栅线每隔3条共同连接

上述多个块区各自拥有分别驱动上述第1～第4控制栅线的第1～第4控制栅驱动器。

3.权利要求1所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

上述多个控制栅驱动器，被设置在按上述行方向与上述多个块区各自相邻的局部驱动器区。

4.权利要求3所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

在上述局部驱动器区，设置有驱动与在上述块区内按上述行方向排列的上述双存储单元的上述字栅共同连接的字线的字线驱动器。

5.权利要求3所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

在上述多个块区，各自设置有沿上述列方向延长的多条辅助位线，

跨上述多个块区，设置有分别按上述列方向延长而形成的、与上述多个块区内的上述多条辅助位线各自共同连接的多条主位线，

在上述多条主位线和上述多条辅助位线各自共同连接处，设置有分别选择连接/非连接的多个位线选择开关元件。

6.权利要求5所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

在上述局部驱动器区，设置有驱动配置在上述块区内的上述位线选择开关元件的位线选择驱动器。

7.权利要求3所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

上述局部驱动器区分别设置在按上述行方向，由奇数号扇区内的上述块区和偶数号扇区内的上述块区所隔开的两侧。

8.权利要求7所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

多条字线跨奇数号扇区内的上述块区和偶数号扇区内的上述块区延长形成。

9.权利要求8所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

在与上述奇数号扇区内的上述块区相邻的上述局部驱动器区，设置有驱动上述多条字线的一部分的第1字线驱动器，在与上述偶数号扇区内的上述块区相邻的局部驱动器区，设置有驱动上述多条字线的其它部分的第2字线驱动器。

10.权利要求9所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

上述第1、第2字线驱动器分别各自与上述多条字线中的按上述列方向每隔一条而排列的为总数一半的字线相连接。

11.权利要求7所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

设置有与分别配置在上述奇数号扇区内的上述块区和偶数号扇区内的上述块区的多条辅助位线中，按上述行方向每隔一条配置的数目为总数一半的辅助位线相连接的多个第1位线选择开关元件，和与剩余的另一半辅助位线相连接的多个第2位线选择开关元件，

在与上述奇数号扇区内的上述块区相邻的上述局部驱动器区，设置有驱动上述多个第1位线选择开关元件的第1位线选择驱动器，

在与上述偶数号扇区内的上述块区相邻的上述局部驱动器区，设置有驱动上述多个第2位线选择开关元件的第2位线选择驱动器。

12.权利要求1至11之一所记载的非易失性半导体存储装置，其特征在于：

上述第1、第2非易失性存储元件，各自具有作为电荷俘获点的由氧化膜(O)，氮化膜(N)以及氧化膜(O)所构成的ONO膜，在上述电荷俘获点进行数据编程。