[发明专利]栓塞金属层的形成方法

权利要求书

1.一种金属层的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一具有一阻障层的半导体底材；

进行至少一次原子层沉积制程以形成一连续性金属源层于该阻障层上；与

形成该金属层于该连续性金属源层上。

2.如权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的阻障层至少包括一钛层。

3.如权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的阻障层至少包括一氮化钛层。

4.如权利要求3所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的氮化钛层的形成方法至少包括金属有机化学气相沉积法。

5.如权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的原子层沉积制程至少包括下列步骤：

通入一具有一硅烷的混合气体于该阻障层上；

进行一洁净步骤；与

通入一具有金属的反应气体以形成该连续性金属源层于该阻障层上。

6.如权利要求5所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的混合气体至少包括氢气。

7.如权利要求5所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的具有金属的反应气体至少包括含氟气体。

8.如权利要求7所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的含氟气体至少包括WF6。

9.如权利要求1所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的金属层的材质至少包括钨。

10.一种金属层的形成方法，其特征在于，至少包括下列步骤：

提供一具有一阻障层的半导体底材，其中，该阻障层具有一藉由一金属有机化学气相沉积法形成的氮化钛层；

进行至少一次原子层沉积制程以形成一连续性金属源层于该阻障层上；

形成一金属成核层于该连续性金属源层上；与

形成该金属层于该金属成核层上。

11.如权利要求10所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的阻障层至少包括一钛层。

12.如权利要求10所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的原子层沉积制程至少包括下列步骤：

通入一具有一硅烷与一氢气的混合气体于该阻障层上；

进行一真空步骤；与

通入一具有一金属的反应气体以形成该连续性金属源层于该阻障层上。

13.如权利要求12所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的具有金属的反应气体至少包括含氟气体。

14.如权利要求13所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的含氟气体至少包括WF6。

15.如权利要求10所述的金属层的形成方法，其特征在于，所述的金属层的材质至少包括钨。

16.一种栓塞金属层的形成方法，其特征在于，至少包括下列步骤：

提供一半导体底材，该半导体底材上具有一介电层，且该介电层中具有一介层洞；

形成一阻障层于该介电层以及该介层洞的侧壁与底部表面上；

对该阻障层进行一等离子体处理制程；

进行至少一次原子层沉积制程以形成一连续性金属源层于该阻障层上；与

形成该栓塞金属层于该连续性金属源层上。

17.如权利要求16所述的栓塞金属层的形成方法，其特征在于，所述的阻障层的形成方法至少包括：

共形生成一钛层于该介电层以及该介层洞的侧壁与底部表面上；与

共形生成一氮化钛层于该钛层上以形成该阻障层。

18.如权利要求17所述的栓塞金属层的形成方法，其特征在于，所述的氮化钛层的形成方法至少包括金属有机化学气相沉积法。

19.如权利要求16所述的栓塞金属层的形成方法，其特征在于，所述的等离子体处理制程至少包括一氮等离子体制程。

20.如权利要求16所述的栓塞金属层的形成方法，其特征在于，所述的原子层沉积制程的循环步骤至少包括：

通入一具有一硅烷与一氢气的混合气体于该阻障层上；

进行一洁净与真空步骤；与

通入一具有一金属的反应气体以形成该连续性金属源层于该阻障层上。