[发明专利]用于切割的粘合片有效
申请号: | 02124415.4 | 申请日: | 2002-06-27 |
公开(公告)号: | CN1395293A | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 山本昌司;高柳健二郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李悦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 切割 粘合 | ||
1.一种用于切割的粘合片,包括在其至少一个表面上提供粘合剂层的基膜,其中,所述基膜包含一种烯烃热塑性弹性体,该烯烃热塑性弹性体含有丙烯和乙烯和/或包含4-8个碳原子的α-烯烃作为聚合组分,并且烯烃热塑性弹性体的最高熔点为120-170℃。
2.根据权利要求1的用于切割的粘合片,其中所述烯烃热塑性弹性体在0℃的洗脱馏分与其在0-140℃的升温洗脱分级中的总洗脱馏分的比率为10-60重量%,所述洗脱是在邻二氯苯溶剂中进行的。
3.根据权利要求1或2的用于切割的粘合片,其中所述基膜还包括晶体成核剂,该晶体成核剂对聚丙烯具有晶体成核作用。
4.根据权利要求3的用于切割的粘合片,其中晶体成核剂相对于基膜总重量的含量为0.0001-1%。
5.根据权利要求3或4的用于切割的粘合片,其中所述晶体成核剂为聚(3-甲基-1-丁烯)。
6.根据权利要求1-5中任何一项的用于切割的粘合片,其中基膜是单层膜,并且含有至少50重量%的所述烯烃热塑性弹性体。
7.根据权利要求1-5中任何一项的用于切割的粘合片,其中基膜是多层膜,并且在多层膜中的至少一层含有至少50重量%的烯烃热塑性弹性体。
8.根据权利要求1-5中任何一项的用于切割的粘合片,其中所述基膜还包括乙烯系列聚合物,该聚合物含有乙烯作为主要聚合组分。
9.根据权利要求8的用于切割的粘合片,其中所述乙烯系列聚合物相对于所述烯烃热塑性弹性体的含量为5-50重量%。
10.根据权利要求8或9的用于切割的粘合片,其中所述的乙烯系列聚合物是密度为0.94-0.97g/cm3的高密度聚乙烯和/或密度为0.91-0.94g/cm3的线性低密度聚乙烯。
11.根据权利要求8-10中任何一项的用于切割的粘合片,其中基膜是单层膜,并且所述烯烃热塑性弹性体和乙烯系列聚合物在基膜中的总含量至少为50重量%。
12.根据权利要求8-10中任何一项的用于切割的粘合片,其中基膜是多层膜,并且在多层膜的至少一层中所述烯烃热塑性弹性体和乙烯系列聚合物的总含量至少为50重量%。
13.根据权利要求1-12中任何一项的用于切割的粘合片,其中粘合剂层的厚度为1-200μm。
14.根据权利要求1-13中任何一项的用于切割的粘合片,其中粘合剂层是由辐射-固化的粘合剂形成的。
15.一种切割方法,包括将如权利要求1-14中任何一项所述的用于切割的粘合片粘结到待切割的材料上,然后切割粘合片到基膜的深度,由此切割待切割的材料。
16.根据权利要求15的切割方法,其中被切割的材料为半导体元件。
17.一种小型切片,其是采用如权利要求15或16所述的切割方法、通过切割待切割的材料制得的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造