[发明专利]用于切割的粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及用于切割的粘合片。此外，本发明还涉及使用用于切割的粘合片的切割方法，通过这种切割方法可以获得小切片。对于小元件片，如半导体片的切割和分离(切割成小片)，根据本发明的用于切割的粘合片，特别适合作为切割半导体片的粘合片，其用于固定被切割的材料，如半导体片。例如，根据本发明的粘合片，可用作为切割硅半导体片的粘合片、切割化合物半导体片的粘合片、切割半导体包装的粘合片、切割玻璃的粘合片等等。

背景技术

按照惯例，首先制备由硅，镓或砷构成的具有较大直径的半导体片，然后经过切割和分离(切片)成小元件，接着进行安装步骤。在此过程中，半导体片被粘结在粘合片上，经过几个步骤，如切割步骤、洗涤步骤、发泡(expanding)步骤、挑选步骤和固定步骤。就粘合片而言，广泛采用的粘合片是向塑料膜构成的基材上涂布厚度约1-200μm丙烯酸系列粘合剂的板。

在切割步骤中，用旋转移动的环型刀片切割晶片，但称为完全切割的切割体系是主流，在该切割体系中维护半导体片的、用于切割的粘合板的基材被向内切割。由于采用完全切割法，粘合板被向内切割，基材，即塑料膜产生纤维状切余物。当纤维状切余物粘到切片(切割片)的内侧，在以下的步骤中，粘附的纤维状切余物将被固定和保留在切片内部。这导致半导体元件产品的可靠度大大降低。在挑选步骤中，经CCD相机确定位置后，各个碎屑被挑选出来。但是，如果有纤维状切余物存在，也存在导致CCD相机识别错误的麻烦。

解决这类问题的方法，如日本专利申请公开NO.156214建议一种使用乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物作为基材的粘合片。这种粘合片一定程度上减少了纤维状切余物的产生。但是，在切割步骤中不能持久产生高可靠度的的半导体元件。

此外，日本专利申请公开No.211234(1993)建议一种使用经电子射线或辐射，如1-80Mrad的γ-射线辐射处理的膜的粘合片。然而，经射线辐射的粘合片被严重损坏，因此很难提供具有优良外观的膜，并且，制膜的费用也大大提高。就质量和费用而言，此法不优选。

采用完全切割法，晶片被完全切割。因此，切割的质量取决于所使用的用于切割的粘合片。例如，近些年，使用的晶片是薄的，晶片背面有称之为碎裂的裂缝，导致了晶片抗弯曲强度减小的严重问题。

解决此问题的方法，如日本专利申请公开No.335411(1993)建议一种生产薄的半导体元件的方法(通过控制第一步切割)，其中，具有形成于其上的元件的半导体片首先被切割，形成预先设定深度的切割凹槽，然后背面研磨到切割槽的深度。在此方法中，可以防止碎屑的产生，但是，由于被提供的半导体片事先已经有许多几十到几百μm的切割深度，产生许多问题，如裂缝的产生先于背面研磨，在背面研磨步骤中来自凹槽的研磨水污染了晶片的表面。因此导致半导体片产量下降。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于切割的粘合片，其没有经济上的缺点，又能减少产品质量标准的降低，并且切割过程很少产生纤维状切余物，解决了以上介绍的现有技术的问题。

本发明的另一个目的是提供一种用于切割的粘合片，其能够实现很好的切片如半导体片产率，并且在切割过程能够防止碎屑的产生，解决了以上介绍的现有技术的问题。

本发明的再一个目的是提供一种切割方法，该方法使用用于切割的带有粘合剂的薄片。

本发明的又一个目的是提供通过这种切割方法获得的小切片。

为了解决以上问题，本发明人对构成用于切割的粘合片的基膜作了广泛的研究，结果发现，以上介绍的目的能够通过在基膜上使用特殊的烯烃热塑性弹性体获得，因此完成了本发明。

也就是说，本发明涉及用于切割的粘合片，包括在其至少一个表面上提供粘合剂层的基膜，其中，基膜包含烯烃热塑性弹性体，烯烃热塑性弹性体含有作为聚合成分的丙烯和乙烯和/或4-8个碳原子的α-烯烃，并且烯烃热塑性弹性体的最高熔点为120-170℃。

本发明人发现，在特别是含丙烯和乙烯和/或4-8个碳原子的α-烯烃作为聚合组分，并构成根据本发明的用于切割的粘合片的基膜的烯烃热塑性弹性体中，最高熔点为120-170℃的弹性体可使基膜在切割过程的延伸性降低，因此能够防止切割过程纤维状切余物的产生。烯烃热塑性弹性体的最高熔点优选为140℃或更高，更优选为160℃或更高。按照JISK7121，最高熔点一般是用差示扫描量热计(DSC)测定的。