[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02124493.6 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395319A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 牧田直树;仲泽美佐子;大沼英人;松尾拓哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所;夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，它包含：
衬底上的结晶半导体层，此结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；以及
其间插入栅绝缘膜的邻近结晶半导体层的栅电极，
其中结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区。
2.一种半导体器件，它包含：
衬底上的结晶半导体层，此结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；
其间插入栅绝缘膜的邻近结晶半导体层的栅电极，
至少覆盖栅电极和结晶半导体层的层间绝缘膜；以及
层间绝缘膜中的接触孔，
其中结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区，且
其中接触孔被制作成达及第一区。
3.一种半导体器件，它包含：
衬底上的第一和第二结晶半导体层，此第一和第二结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；
其间插入栅绝缘膜的各邻近第一和第二结晶半导体层的第一和第二栅电极，
其中第一结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区，且
其中第二结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素和p型杂质元素的第三区。
4.一种半导体器件，它包含：
衬底上的第一和第二结晶半导体层，此第一和第二结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；
其间插入栅绝缘膜的各邻近第一和第二结晶半导体层的第一和第二栅电极；
至少覆盖第一和第二结晶半导体层以及第一和第二栅电极的层间绝缘膜；
层间绝缘膜中的接触孔；
其中第一结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区，
其中第二结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素和p型杂质元素的第三区，且
其中接触孔被制作成达及第一区。
5.一种半导体器件，它包含：
衬底上的结晶半导体层，此结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；以及
其间插入栅绝缘膜的邻近结晶半导体层的栅电极，
其中结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区，且
其中第二区包含浓度高于第一区的催化元素。
6.一种半导体器件，它包含：
衬底上的结晶半导体层，此结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；
其间插入栅绝缘膜的邻近结晶半导体层的栅电极，
至少覆盖栅电极和结晶半导体层的层间绝缘膜；以及
层间绝缘膜中的接触孔，
其中结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区，
其中第二区包含浓度高于第一区的催化元素，且
其中接触孔被制作成达及第一区。
7.一种半导体器件，它包含：
衬底上的第一和第二结晶半导体层，此第一和第二结晶半导体层包含使半导体膜加速晶化的催化元素；
其间插入栅绝缘膜的各邻近第一和第二结晶半导体层的第一和第二栅电极，
其中第一结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素的第一区、以及邻近第一区的包含p型杂质元素的第二区，且
其中第二区包含浓度高于第一区的催化元素，且
其中第二结晶半导体层至少具有沟道区、邻近沟道区的包含n型杂质元素和p型杂质元素的第三区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所;夏普公司，未经株式会社半导体能源研究所;夏普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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