[发明专利]铟锡氧化膜的制造方法有效
| 申请号： | 02125163.0 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395138A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 菱田光起 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铟锡氧化膜的制造方法，其特征在于：在常温及添加水份的气体环境下形成铟锡氧化膜，在成膜后，进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。
2.如权利要求1所述的铟锡氧化膜的制造方法，其特征在于：所述热处理是以约220℃的温度进行约1小时～约3小时。
3.如权利要求1或2所述的铟锡氧化膜的制造方法，其特征在于：所述在常温及添加水份的气体环境下形成的铟锡氧化膜是非晶质状态，而所述热处理是将该铟锡氧化膜进行多结晶化。
4.如权利要求1～3中任意一项所述的铟锡氧化膜的制造方法，其特征在于：所述铟锡氧化膜在成膜时的添加水份的气体环境，满足成膜室内的水份总分压约为8.20×10-3帕以下。
5.如权利要求4所述的铟锡氧化膜的制造方法，其特征在于：所述铟锡氧化膜在成膜时的添加水份的气体环境，满足成膜室内的水份总分压约为1×10-3帕以上。
6.如权利要求1～5中任意一项所述的铟锡氧化膜的制造方法，其特征在于：所述铟锡氧化膜在成膜后，在进行蚀刻的图案化后，进行所述热处理。
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