[发明专利]铟锡氧化膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及可作为透明电极用的具有透明性及导电性的铟锡氧化膜的制造方法。

背景技术

铟锡氧化膜(Indium Tin Oxide：以下称为‘ITO’)因具有导电性且为透明状，故其对于液晶显示装置、有机电致发光显示装置等的显示装置及其它机器的透明电极而言，是一种不可或缺的膜片。该ITO膜是在高温环境下通过喷溅法而成膜的，可形成多结晶状态的膜片，因所得到的多结晶ITO膜的透光率较高且为低电阻，所以作为透明电极较佳。

例如作为液晶显示装置及有机电致发光显示装置等的个别像素电极，在使用上述ITO膜时，需要将成膜的ITO膜蚀刻并图案化成个别的电极形状。

与此相反，液晶显示装置等被强烈地要求降低制造成本，为了实现该目标，需要提高制造效率，就透明电极来说，通过缩短上述图案化时的蚀刻时间是有可能的。

可是，作为透明电极为较佳的上述多结晶状态的ITO膜，因蚀刻率较低因此其蚀刻需要花费很多时间。非晶质状态的ITO膜，因蚀刻率较高，所以通过采用该种材料可缩短蚀刻时间，但非晶质性ITO膜是高电阻且为低透光率，而存在作为电极的特性不佳的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种可有效率地制造出电阻较低且透光率为较大的ITO膜的方法。

为达到上述目的，本发明在常温及添加水份的环境下成膜出铟锡氧化物(ITO)膜，成膜后则进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。

在常温及添加水份的气体环境下所形成的ITO膜是非晶质性状态，可以以较高的蚀刻率得到所要的图案。并且，在成膜及图案化后，以约180℃以上(例如约220℃)的温度实施约1小时以上(例如约1小时至约3小时)的热处理后，ITO膜将被多结晶化而可降低膜的电阻且可提高透光率。

在本发明的其它方式中，上述ITO膜的成膜时的添加水份的气体环境，满足其成膜室内的水份总分压约为8.20×10^-3帕以下。并且，在本发明中，所谓水份总分压是指有意识地导入的水份的分压与无意识地带入成膜室内的水份时的水份的分压的合计值。

通过使ITO膜的成膜气体环境变为添加水份气体环境、例如成膜室内的水份总分压为1×10^-3帕以上，即可成膜出非晶质性的ITO膜，成膜后，可迅速进行图案化时的蚀刻处理。而且，通过将成膜室内的水份总分压抑制至约8.20×10^-3帕以下，在其后通过对ITO膜实行热处理，可得到低电阻且高透光率的多结晶的ITO膜。

附图说明

图1是表示本实施例的ITO膜的比电阻与退火时间的关系的示意图。

图2是表示本实施例的ITO膜的薄膜电阻与退火温度的关系的示意图。

图3是表示本实施例的ITO膜的透光率与退火时间的关系的示意图。

图4是表示本实施例的ITO膜的薄膜电阻与成膜气体环境的水份分压的关系的示意图。

图5是表示利用本实施例的ITO膜的液晶显示装置的概略构成的示意图。

图6是利用本实施例的ITO膜的有机EL显示装置的部份剖面图。

图7是利用本实施例的ITO膜的有机EL显示装置的一像素的等价电路图。

符号说明：10第1玻璃基板，12、72能动层，14、74栅极绝缘膜，16、76层间绝缘膜，18平坦化绝缘膜，20、80栅极电极，22数据电极(数据线)，30像素电极(ITO膜)，32、42定向膜，40共同电极(ITO膜)，50第2玻璃基板，52彩色滤色器，70透明基板(玻璃基板)，78第1平坦化绝缘膜，82电源线，88第2平坦化绝缘膜，90第1电极(阳极)，92第2电极(阴极)，100有机层，110空穴输送层，120发光层，130电子输送层。

具体实施方式

以下，借助附图说明本发明的优选实施例(以下称为‘实施例’)。

在本实施例中，ITO膜首先在常温下在添加一定水份的气体环境下通过喷溅法于玻璃基板等的基板上直接成膜，或在已形成有晶体管等的组件的基板上成膜。这种通过在常温下及在添加水份的气体环境下所成膜出的ITO膜成为非晶质性状态。在此，为得到非晶质性状态的ITO膜，在成膜气体环境中，不管是有意识地导入还是无意识地导入等，需要存在水份，成膜室内的水份分压的下限，在无意识地导入的水份的分压为0时，其一例约为1×10^-3帕(pascal)(关于上限，在后叙述)。