[发明专利]半导体存储装置的数据写入方法以及半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置的数据写入方法，所述半导体存储装置具有至少包含有一个第一存储单元的、可实施数据再次写入操作的第一存储单元块，以及至少包含有一个与第一存储单元相邻的第二存储单元的、可实施数据再次写入操作的第二存储单元块，其特征在于这种数据写入方法包括：

对所述第一存储单元实施数据写入；

在对所述第一存储单元实施数据写入之后，对所述第二存储单元实施数据写入；

在对所述第二存储单元实施数据写入之后，对所述第一存储单元实施数据判断；

以及当所述数据判断结果为所述第一存储单元的数据未到达时，对所述第一存储单元实施数据再次写入。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置的数据写入方法，其特征在于所述第一、第二存储单元分别具有与需保持的数据相对应地实施电荷注入或放出的电荷蓄积层，并且将二值以上的数据作为电荷量实施存储。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置的数据写入方法，其特征在于所述第一、第二存储单元分别具有与需保持的数据相对应地实施电荷注入或放出用的电荷蓄积层，并且将二值数据作为电荷量实施存储；

而且对于由外部施加的三值以上的数据，分别与所述第一、第二存储单元中的二值数据相对应地实施存储。

4.一种半导体存储装置的数据写入方法，所述半导体存储装置具有至少包含有两个彼此相邻的、呈串联连接或并联连接的第一存储单元和第二存储单元的、可实施数据再次写入操作的存储单元块，其特征在于这种数据写入方法包括：

对所述第一存储单元实施数据写入；

在对所述第一存储单元实施数据写入之后，对所述第二存储单元实施数据写入；

在对所述第二存储单元实施数据写入之后，对所述第一存储单元实施数据判断；

以及当所述数据判断结果为所述第一存储单元数据未到达时，对所述第一存储单元实施数据再次写入。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置的数据写入方法，其特征在于所述第一、第二存储单元分别具有与需保持的数据相对应地实施电荷注入或放出的电荷蓄积层，并且将二值以上的数据作为电荷量实施存储。

6.如权利要求4所述的半导体存储装置的数据写入方法，其特征在于所述第一、第二存储单元分别具有与需保持的数据相对应地实施电荷注入或放出的电荷蓄积层，并且将二值的数据作为电荷量实施存储；

而且对于由外部施加的三值以上的数据，分别与所述第一、第二存储单元中的二值数据相对应地实施存储。

7.一种半导体集成电路装置，其特征在于具有：

可实施数据再次写入的第一存储单元块，所述第一存储单元块至少具有一个第一存储单元；

可实施数据再次写入的第二存储单元块，所述第二存储单元块至少具有一个与所述第一存储单元相邻接的第二存储单元；

第一数据传送线，所述第一数据传送线与所述第一存储单元块直接连接，或是通过对所述第一存储单元块实施选择的选择部件与所述第一存储单元块电连接；

第二数据传送线，所述第二数据传送线与所述第二存储单元块直接连接，或是通过对所述第二存储单元块实施选择的选择部件与所述第二存储单元块电连接；

充电电路，所述充电电路用于对所述第一数据传送线和所述第二数据传送线中的任一个实施充电；

第一数据保持电路，所述第一数据保持电路至少具有两个电压稳定点；

第二数据保持电路，所述第二数据保持电路与所述第一数据保持电路电连接；

第三数据保持电路，所述第三数据保持电路与所述第一数据保持电路电连接；

充电和放电电路，所述充电和放电电路依据保持在所述第三数据保持电路中的数据对第一电压节点实施充电或放电；

第一连接电路，所述第一连接电路使所述第一电压节点与所述第一、第二数据传送线中的任一条电连接；

第四数据保持电路，所述第四数据保持电路至少具有两个电压稳定点；

以及第二连接电路，所述第二连接电路使所述第四数据保持电路与所述第一电压节点电连接。