[发明专利]实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法无效
| 申请号： | 02136110.X | 申请日： | 2002-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1391259A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄靖云;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/34 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实时 生长 zno 晶体 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是采用磁控溅射法，先将衬底表面清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为200～600℃，以高纯氨气和高纯氧气为溅射气体，该二种气体分别由流量计控制输入装置的缓冲室，在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在1～10Pa压强下，以高纯Zn为靶材，进行溅射生长，其中氨气与氧气的分压比根据掺杂浓度调节。
2.根据权利要求1所述的实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是衬底的温度为400～550℃。
3.根据权利要求1所述的实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是所说的衬底是硅或蓝宝石或玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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