[发明专利]实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 02136110.X 申请日: 2002-07-17
公开(公告)号: CN1391259A 公开(公告)日: 2003-01-15
发明(设计)人: 黄靖云;叶志镇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/34
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 实时 生长 zno 晶体 薄膜 方法
【说明书】:

                        技术领域

发明涉及p型ZnO的掺杂方法。具体说是关于实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法。

                        背景技术

要实现ZnO基器件的应用,制备可控的n和p型ZnO晶体薄膜是必须的。目前,人们对于n型ZnO晶体薄膜的研究已经比较充分,通过掺杂III价元素,已经能够实现实时、浓度可控的低阻n型ZnO晶体薄膜的生长。但要使ZnO晶体薄膜制备出光电子器件,必须制备ZnO pn结。由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷,如间隙锌Zni和空位氧VO,其能级分别位于导带底0.05eV和0.3eV处,对受主产生高度自补偿作用,而且,ZnO受主能级一般很深(N除外),空穴不易于热激发进入价带,受主掺杂的固溶度也很低,因而难以实现p型转变,成为制约ZnO实现产业化的瓶颈。目前ZnO晶体薄膜的p型掺杂研究还处于开始阶段,浓度可控,重复性好的p型ZnO薄膜还难以实现。

目前文献报道p型ZnO晶体薄膜的掺杂主要有四种方法:(1)利用高活性的氮作为掺杂剂,(2)镓和氮的共掺杂,(3)掺砷,(4)掺磷。后两种由于受主能级较深,固溶度低,所以掺杂效果不理想,并且砷和磷都有毒性。前两种利用高活性的氮掺杂及镓和氮共掺杂,由于氮的活性很低,且原子半径比氧原子大,因此采用化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE)生长技术,很难替代氧原子的位置,也无法实现实时可控掺氮。

                           发明内容

本发明的目的是提供一种实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法。

本发明的实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法是采用磁控溅射法,先将衬底表面清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中,反应室真空度抽到至少10-3Pa,然后加热衬底,使衬底温度为200~600℃,优选400~550℃,以高纯氨气NH3(99.99%以上)和高纯氧气O2(99.99%以上)为溅射气体,该二种气体分别由流量计控制输入装置的缓冲室,在缓冲室充分混合后引入真空反应室,在1~10Pa压强下,以高纯Zn(99.99%以上)为靶材,进行溅射生长,其中氨气与氧气的分压比根据掺杂浓度调节。根据NH3与O2不同的分压比可以制备不同掺杂浓度p型ZnO晶体薄膜,生长的时间由所需的厚度决定。

上述衬底可以采用硅或蓝宝石或玻璃。

本发明的优点:

1)可以实现实时掺杂,在ZnO晶体薄膜生长过程中同时实现掺杂;

2)掺杂浓度较高,由于NH3在溅射过程中被离化,氮原子被激活,而且NH3的离化能低于N2,所以N的掺杂效率比较高;

3)掺杂浓度可以通过调节输入的NH3∶O2不同分压比来控制;

4)有较好的重复性和稳定性。

                          附图说明

附图是根据本发明方法采用的直流反应磁控溅射装置示意图

图中1和2分别为氨气和氧气的进气管路;3 为流量计;4 缓冲室;5样品架;6 加热器;7 真空计;8 自动压强控制仪;9 S枪

                        具体实施方式

以下结合具体实例进一步说明本发明。

先将衬底经过表面清洗后放入反应室样品架5上,衬底朝下放置,有效防止颗粒状的杂质对衬底的玷污,反应室真空度抽至10-3Pa;利用加热器,加热衬底,衬底温度控制在500℃;溅射气体是高纯的NH3(99.99%以上)和高纯的O2(99.99%以上),两路气体经进气管1和2进入缓冲室4,在缓冲室充分混合后引入到真空室,真空室内的压强由自动压强控制仪8控制,压强约为5Pa左右。NH3与O2分压比根据掺杂需要,可通过流量计3任意调节,此例设NH3∶O2=1∶1;以S枪9上的高纯Zn(99.99%)为靶材进行溅射生长。溅射功率在32W下生长一定的时间,半小时可以溅射2微米左右。通过调节输入的NH3∶O2分压比,可以获得掺杂浓度可控的p型ZnO晶体薄膜。

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