[发明专利]高集成度积层基材制造方法有效

专利信息
申请号: 02140388.0 申请日: 2002-07-02
公开(公告)号: CN1395463A 公开(公告)日: 2003-02-05
发明(设计)人: 何昆耀;宫振越 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;B32B31/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 沙捷,王初
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成度 基材 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种积层基材制造方法,其特征在于,包括:

提供一第一支撑体;

于该第一支撑体上形成一图案化线路;

于该第一支撑体上形成一第一介电层,该第一介电层覆盖住该图案化线路,以于该第一支撑体上形成一具有图案化线路的介电层;

提供一第二支撑体;

于该第二支撑体上形成多个导通孔柱;

于该第二支撑体上形成一第二介电层,这些导通孔柱突出于该第二介电层,以于该第二支撑体上形成一具有导通孔柱的介电层;以及

将多个具有图案化线路的介电层与多个具有导通孔柱的介电层对位并压合,以使得些导通孔柱刺穿该第一介电层而与该图案化线路电性连接。

2.如权利要求1所述的积层基材制造方法,其特征在于:这些具有图案化线路的介电层与这些具有导通孔柱的介电层对位并压合之后,还包括进行一固化步骤,以将该第一介电层与该第二介电层固化并同时完成导电位置的电气导通连接。

3.如权利要求1所述的积层基材制造方法,其特征在于,该图案化线路的形成方法包括:

形成一导体层于该第一支撑体上;

形成一图案化光阻于该导体层上;以及

以该图案化光阻为屏蔽,移除未被该图案化光阻覆盖的该导体层,以形成该图案化线路。

4.如权利要求1所述的积层基材制造方法,其特征在于,该图案化线路的形成方法包括:

形成一第一导体层于该第一支撑体上;

形成一图案化光阻于该导体层上,该图案化光阻具有多个开口;

形成一第二导体层于这些第二开口中;

移除该图案化光阻;以及

移除未被该第二导体层覆盖的该第一导体层,以形成该图案化线路。

5.如权利要求1所述的积层基材制造方法,其特征在于:这些具有图案化线路的介电层与这些具有导通孔柱的介电层的压合为真空热压合。

6.一种积层基材制造方法,其特征在于,包括:

提供一第一支撑体;

于该第一支撑体上形成一图案化线路;

于该第一支撑体上形成一第一介电层,该第一介电层覆盖住该图案化线路,以于该第一支撑体上形成一具有图案化线路的介电层;

提供一第二支撑体;

于该第二支撑体上形成多个导通孔柱;

于该第二支撑体上形成一第二介电层,这些导通孔柱突出于该第二介电层,以于该第二支撑体上形成一具有导通孔柱的介电层;

提供至少一焊垫开口层,该焊垫开口层具有多个开口;以及

将多个具有图案化线路的介电层、多个具有导通孔柱的介电层以及该焊垫开口层对位并压合,以使得些导通孔柱刺穿该第一介电层而与该图案化线路电性连接。

7.如权利要求6所述的积层基材制造方法,其特征在于:这些具有图案化线路的介电层、这些具有导通孔柱的介电层以及该焊垫开口层对位并压合之后,还包括进行一固化步骤,以将该第一介电层与该第二介电层固化并同时完成导电位置的电气导通连接。

8.如权利要求6所述的积层基材制造方法,其特征在于,该图案化线路的形成方法包括:

形成一导体层于该第一支撑体上;

形成一图案化光阻于该导体层上;以及

以该图案化光阻为屏蔽,移除未被该图案化光阻覆盖的该导体层,以形成该图案化线路。

9.如权利要求6所述的积层基材制造方法,其特征在于,该图案化线路的形成方法包括:

形成一第一导体层于该第一支撑体上;

形成一图案化光阻于该导体层上,该图案化光阻具有多个开口;

形成一第二导体层于这些第二开口中;

移除该图案化光阻;以及

移除未被该第二导体层覆盖之该第一导体层,以形成该图案化线路。

10.如权利要求6所述之积层基材制造方法,其特征在于,这些导通孔柱的形成方法包括:

形成一导体层于该第二支撑体上;

形成一图案化光阻于该导体层上;以及

以该图案化光阻为屏蔽,移除未被该图案化光阻覆盖的该导体层,以形成这些导通孔柱。

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