[实用新型]晶片封装体结构

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种晶圆级封装，且特别是有关于一种可以解决晶片与主机板间热膨胀系数差异问题的晶圆级封装。

背景技术

在现今信息爆炸的社会，电子产品遍布于日常生活中，无论在衣食住行娱乐方面，都会用到集成电路组件所组成的产品。随着电子科技不断地演进，功能性更复杂、更人性化的产品推陈出新，就电子产品外观而言，也朝向轻、薄、短、小的趋势设计，因此在半导体构装技术上，开发出许多高密度半导体封装的形式。而通过晶片尺寸构装(Chip Scale Package)技术可以达到上述的目的，其所制作完成的封装体的截面尺寸与晶片的截面尺寸大致相同，故晶片尺寸构装的体积很小，因此广泛地应用在半导体封装的技术上。其中，达成晶片尺寸构装的技术有很多种，其中一种是利用晶圆级封装的手段，来达到晶片尺寸构装的目的。顾名思义，晶圆级封装就是在晶圆切割完成时，晶片的封装便完成。

就其工艺而言，首先要提供一晶圆，晶圆由多个晶片所组成，切割道(scribe-line)环绕于相邻的晶片之间。然后制作重配置线路结构体(redistribution layer)到晶圆的主动表面上，接着形成凸块到重配置线路结构体上，之后进行晶圆切割的工艺，在切割的同时会使晶片及晶片上的重配置线路结构体与邻接的相同结构体相互分离，而形成独立的覆晶封装体100，如图1所示，如此在晶圆切割完成时，覆晶晶片及其封装体便制作完成，其中图1为公知晶圆级覆晶封装的剖面放大示意图。其中每一覆晶封装体100包括一晶片110、一重配置线路结构体120及多个凸块130，其中晶片110具有多个焊垫114，位于晶片110的主动表面112上，而重配置线路结构体120位于晶片110的主动表面112上，重配置线路结构体120具有绝缘结构体122及金属线路结构体124，而金属线路结构体124会交错于绝缘结构体122中，并且金属线路结构体124会与焊垫114电性连接。另外，凸块130位于重配置线路结构体120上，并且会与金属线路结构体124电性连接。

而覆晶封装体100一般会连接到一基板140上，而基板140具有多个凸块垫144及多个焊球垫148，分别位于基板140的上表面142上及下表面146上。此时，可以进行回焊工艺，在洒下助焊剂(未绘出)之后，通过加热的方式，覆晶封装体100的凸块130会接合到基板140的凸块垫144上。然后填入一填充材料150到覆晶封装体100与基板140之间，使得填充材料150会包覆凸块130。之后，还要植上多个焊球160到焊球垫148上，通过焊球160，基板140可以与一印刷电路板(未绘出)电性连接。

由于晶片110与基板140间热膨胀系数的不同，因此在上述工艺中必须要将填充材料150填入于晶片110与基板140之间，以防止在热循环时所产生的热应力，造成凸块130破裂的情形发生。然而，由于晶片110与基板140之间的间隙非常小，在填入填充材料150时，是以毛细现象的方式，填充材料150才能缓慢地流入到覆晶封装体100与基板140之间，如此在工艺上甚为耗时，而成本也较高，并且填充材料150不易完全填充到覆晶封装体100与基板140之间，而留有空隙存在。再者，由于凸块130的两端分别与晶片110上的重配置线路结构体120及基板140的凸块垫144接合，如此容易因为晶片110与基板140间所造成的热应力，对凸块130产生剪力的作用，使得凸块130会沿着横向的方向有破裂的情形产生。

实用新型内容

因此本实用新型的目的之一就是在提供一种晶圆级封装结构及其工艺，可以降低成本。

本实用新型的目的之二就是在提供一种晶圆级封装结构及其工艺，可以解决因为晶圆与基板间热膨胀系数的不同所造成的问题。

为达到本实用新型的上述和其它目的，提出一种晶片封装体结构，至少包括：一晶圆、一绝缘层、一导电胶、多个球垫、一焊罩层及多个焊球。其中晶片具有一主动表面，而绝缘层配置在晶片的主动表面上，绝缘层具有多个开口，开口贯穿绝缘层。导电胶填充于开口中，且多个球垫配置在绝缘层上，并且会与导电胶电性连接。而焊罩层覆盖在绝缘层上，并且焊罩层会暴露出球垫，另外，焊球分别配置在球垫上。