[实用新型]溅镀装置

说明书

(1)技术领域

本实用新型涉及一种溅镀装置，特别是涉及一种工件在被加工时同时被移动和转动，且不需准直管即可消除遮蔽效应的溅镀装置。

(2)背景技术

图1是以往溅镀机8的剖面示意图，于一具有气体入口801和气体出口802的反应室80内，设置有金属靶81、准直管(collimator)82、和置放座84。

其中气体入口801用于导入氩、氮……等气体，而气体出口连接于真空泵(未图示)，以控制反应室80内的气体压力。

而设置于反应室80内较上方的金属靶81(例如钛、铝等金属)则连接于直流电源86的阴极，并将直流电源86的阳极连接于反应室80。

又设置于反应室80内较下方且接地的放置座84，其上通过真空吸附方式固定一被溅镀物(如晶片)83。

至于设置于金属靶81与被溅镀物83间的准直管82，其管壁821与被溅镀物83的上表面相垂直，用以滤除自金属靶81大角度四散的粒子，使得因溅击而产生的金属原子，只有与管壁821(或与被溅镀物83上表面的垂直线)成较小角度的方得以通过准直管82而到达被溅镀物83的上表面。

然而，上述以往溅镀机用于具凹凸表面的被溅镀物时，如图2所示，因溅击而产生的金属靶原子大体垂直于被溅镀物的上表面而溅镀于其上，所以溅镀于凹口87侧壁88上的金属层85，将因遮蔽效应(shadow)而形成上厚下薄的现象。同理，凹口87的底壁89也因遮蔽效应而形成外围薄内圈厚的填塞(filling)不良的现象。

因为上述缺失，台湾第86216597号专利申请是将放置座84改成如图3及图4(与图1、2相同的构造使用相同的编号)所示的可旋转式放置座84，并使准直管82的管壁821与被溅镀物83上表面的垂线倾斜一角度，以改善遮蔽效应(shadow)所造成的填塞(filling)不良的现象，进而提升阶梯覆盖率(step coverage)。

然而，准直管82的可容许穿透角度限制愈严格、因角度不符合规范而遭阻挡的靶原子愈多、金属靶材料使用效率下降、成本随之提高，尤其对于溅镀尺寸较大的工件时，影响尤其明显。此外，该专利申请因放置座84相对于金属靶81和准直管82皆只转动而不移动，一旦全面性地考虑工件的全部表面，将发现由金属靶撞击溅镀出的镀膜层厚度约随距离被溅镀物旋转中心的半径反比，尤其是旋转中心点相对于金属靶81和准直管82，不但无移动且无转动，致其沉积的金属层最厚。因此欲援引该专利的溅镀半导体晶片的旋转放置座的技术手段，并无法解决溅镀金属层厚度与旋转半径成比例的问题，致无法达成均匀溅镀大尺寸工件的目的，且因准直管的大量过滤不符合预定角度的金属靶原子，将导致成本增高、不符经济效益等问题。

(3)实用新型内容

因此，本实用新型的目的在于提供一种溅镀装置，有效降低大尺寸工件被溅镀时的遮蔽效应。

本实用新型的另一目的在于提供一种溅镀装置，可明显提高溅镀时靶材的使用效率。

为实现上述目的，本实用新型的溅镀装置，包括一本体、一滑动件、一工作台、及至少一靶体，其特点是：该本体，形成有至少一密闭容置空间，且该本体设有连通于该容置空间的一抽气装置，及固设于该本体的一致动装置；该滑动件，连接于该致动装置，同时受其驱动而于该容置空间内滑动，并由该滑动轨迹界定一假想面；该工作台，具有一台面供固定置放待加工的工件，且沿与该假想面成一特定角度的一枢轴枢设于该滑动件上，而沿该枢轴相对于该滑动件转动；以及该至少一靶体，与该工作台的台面相隔一段距离地设置于该本体形成有该容置空间的一内侧壁内。

为进一步说明本实用新型的目的、结构特点和效果，以下将结合附图对本实用新型进行详细的描述。

(4)附图说明

图1是以往无转动装置溅镀机的剖面示意图；

图2是图1以往溅镀机进行溅镀时的示意图；

图3是以往有转动装置溅镀机的剖面示意图；

图4是图3以往溅镀机进行溅镀时的示意图；

图5是本实用新型溅镀装置的剖面示意图；

图6是图5从VI-VI线的剖面且未放置工件时的示意图；

图7是图6从VII-VII线的剖面且放置有工件时的示意图；

(5)具体实施方式

如图5、6所示，本实用新型的溅镀装置主要包括本体1、致动装置2、滑动装置3、转动装置4、工作台5、靶体7、调整固定装置6、抽气装置72等。