[其他]金属氧化物半导体绝缘工艺

权利要求书

1、通过氮化硅和氧化层在硅衬底上半导体元件的绝缘工艺其特征在于该工艺包括下列各步骤：

在所说的衬底表面上热生长一层第一厚度的第一层氮化硅;

在所说的第一层上淀积一层第二厚度的第二层氮化硅，所说的第二层厚度稍厚于第一层;

去掉所说两层的一部分，将衬底的预定部份暴露出来;

对所说暴露出的区域进行氧化，使所说的硅衬底处在氯气氛中，温度要在二氧化硅的软化点以上;

在氧气氛中所述的暴露区域进一步氧化。

2、根据权利要求1所述工艺中，其特征在于所说第一层氮化硅厚度约为25-30埃。

3、根据权利要求1所述工艺中，其特征在于所说第二层氮化硅厚度约为250埃。

4、根据权利要求1所述工艺中，其特征在于所说第二层氮化硅由LPCVD方法生成。

5、根据权利要求1所述工艺中，其特征在于所说衬底处在氯气氛中时，温度为1000℃。

6、根据权利要求1所述工艺中，其特征在于，在所说的氯气氛中，生长层厚度为500埃。

7、根据权利要求1所述工艺中，其特征在于，在所说的氧气氛中，生长层厚度为6000埃。

8、根据权利要求1所述工艺中，其特征在于所说氧气氛中氧化是在湿氧气氛中完成的。

9、根据权利要求1所规定的工艺中，其特征在于所说的氧气氛中氧化是在约920℃下发生的。