[其他]具有高击穿电压的半导体器件在审
申请号: | 101985000006895 | 申请日: | 1985-09-14 |
公开(公告)号: | CN85106895B | 公开(公告)日: | 1988-09-07 |
发明(设计)人: | 江本孝朗;盐见武夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 刘晖 |
地址: | 日本国神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 击穿 电压 半导体器件 | ||
1、一种具有高击穿电压的半导体器件制有:
第一电导类型的半导体衬底10;
在第一电导类型的半导体衬底10的规定区域中形成的一层第二电导类型的第一杂质区12,并与上述衬底之间形成个侧面;
在与上述第一杂质区12相对的上述半导体衬底的背面区域中,以规定量进行注入,形成的第一电导类型的一层第一高掺杂杂质区16;
用第二电导类型的保护环区或用阻性电场板极(127)环绕上述第一杂质区12;其特征在于:
形成的注入区16比上述第一杂质区12宽,与上述第一杂质区的周围侧面相比,上述注入区16扩大不大于W0;
W0是上述第一杂质区12和上述第一高掺杂杂质区16之间沿其深度方向的间隔。
2、按照权利要求1所述的半导体器件,其中形成的上述第一高掺杂杂质区16的中心位置与上述第一杂质区12的中心位置相同,并且上述第一高掺杂杂质区(16)的注入宽度T满足
t1<T≤t1+2W0
其中t1是上述第一杂质区(12)的宽度,T是上述第一高掺杂杂质区16的注入宽度。
3、按照权利要求1所述的半导体器件进一步包括:
在上述半导体衬底(21)的背面,邻近于上述第一高掺杂杂质区27的附近,形成一层第一电导类型的第二高掺杂杂质区(28),并且其厚度比上述第一高掺杂杂质区(27)的厚度薄。
4、按照权利要求1所述的半导体器件,进一步包括:
在上述第一杂质区(22)的范围内形成一层上述第一电导类型的第二杂质区(23)。
5、按照权利要求4所述的半导体器件,其中所述第一杂质区(12)是晶体管的基区,所述第一高掺杂杂质区(16)是所述晶体管的集电区,所述第二杂质区(23)是所述晶体管的发射区。
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