[其他]具有高击穿电压的半导体器件

权利要求书

1、一种具有高击穿电压的半导体器件制有：

第一电导类型的半导体衬底10;

在第一电导类型的半导体衬底10的规定区域中形成的一层第二电导类型的第一杂质区12，并与上述衬底之间形成个侧面;

在与上述第一杂质区12相对的上述半导体衬底的背面区域中，以规定量进行注入，形成的第一电导类型的一层第一高掺杂杂质区16;

用第二电导类型的保护环区或用阻性电场板极（127）环绕上述第一杂质区12;其特征在于：

形成的注入区16比上述第一杂质区12宽，与上述第一杂质区的周围侧面相比，上述注入区16扩大不大于W₀;

W₀是上述第一杂质区12和上述第一高掺杂杂质区16之间沿其深度方向的间隔。

2、按照权利要求1所述的半导体器件，其中形成的上述第一高掺杂杂质区16的中心位置与上述第一杂质区12的中心位置相同，并且上述第一高掺杂杂质区（16）的注入宽度T满足

t₁＜T≤t₁+2W₀

其中t₁是上述第一杂质区（12）的宽度，T是上述第一高掺杂杂质区16的注入宽度。

3、按照权利要求1所述的半导体器件进一步包括：

在上述半导体衬底（21）的背面，邻近于上述第一高掺杂杂质区27的附近，形成一层第一电导类型的第二高掺杂杂质区（28），并且其厚度比上述第一高掺杂杂质区（27）的厚度薄。

4、按照权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

在上述第一杂质区（22）的范围内形成一层上述第一电导类型的第二杂质区（23）。

5、按照权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一杂质区（12）是晶体管的基区，所述第一高掺杂杂质区（16）是所述晶体管的集电区，所述第二杂质区（23）是所述晶体管的发射区。