[其他]具有高击穿电压的半导体器件在审

专利信息
申请号: 101985000006895 申请日: 1985-09-14
公开(公告)号: CN85106895B 公开(公告)日: 1988-09-07
发明(设计)人: 江本孝朗;盐见武夫 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘晖
地址: 日本国神奈*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 击穿 电压 半导体器件
【说明书】:

本发明涉及到高击穿电压半导体器件,而且是与半导体衬底有相同电导型的高掺杂杂质区形成在一起的半导体器件,其中,在半导体衬底的背面,第一杂质区的对面,规定好的部位上注入高掺杂杂质,并形成高掺杂杂质区,在与第一杂质区相同的中心部位上其注入宽度为T,并且满足t1≤T≤t1+2W0,其中t1是第一杂质区的宽度,W0是第一杂质区和高掺杂杂质区之间沿深度方向的间隔。

本发明涉及到半导体器件。更具体地讲,是关系到具有高的击穿电压的半导体器件。

尤其关系到在半导体器件中主PN结的最大的弯曲部位上,用防止电场过度集中的方法,使击穿电压得到改进。实现高击穿电压的半导体器件。

在先有技术中,通常使用的具有高击穿电压的半导体器件,如人们所知的有台面结构或带保护环的平面结构。这第一种结构的优点是:如果器件是二极管,就是它的PN结,如果器件是三极管就是基极和集电极之间的PN结,都是平坦的,因此,不会发生电场集中。正因为这样,被广泛地用做高击穿电压的半导体器件。

然而,对具有台面型结构的半导体器件来说。不仅必须形成一个台面,以便获得高的击穿电压,另外,还不得不在该台面上覆盖一层保护材料。这就使制造工艺大大复杂化了。因此,常常使用的是带保护环的平面型结构的半导体器件,因为这样一些半导体器件可以用简单的制造工艺比较容易获得。然而这里仍然存在着一些问题。例如,在带有保护环的平面型半导体器件的情况下,如果要得到高的击穿电压,例如击穿电压达到1千伏或更高,就必须尽可能形成很多保护环区域,才能在PN结(在二极管情况下)的最大的弯曲的部位上,或在基极与集电极之间的PN结上(在三极管的情况下)用降低电场集中的方法来提高击穿电压。这样一来,在减小元件尺寸方面就存在一定困难。

此外,特别是在具有近代的CVD技术的工艺情况下,形成高电阻材料,例如多晶硅材料,变得比较容易实现,还有所谓的“阻性电场板极”的方法引起人们极大的关注,其中使用的方法是在PN结外围表面上形成的一层介质的顶部,再制作上一层高阻材料。将这种方法与使用保护环的方法相比,这种阻性电场极板的方法具有许多优点,只需要比较小的面积,击穿电压对结深的依赖也比较小,并且与PN结的横向伸展精度的关系不大,而用保护环方法却与保护环与PN结之间的间隔精度有关。然而,无论用这种方法,还是用保护环的方法,都不能使在PN结的弯曲部位上那么有效地减小电场集中,如同用台面结构可以减小那么有效。

美国专利NO.3,717,515颁发了一种制造单片集成电路的方法,该集成电路至少包括一个基座晶体管器件。以便能够实现比以前的尺寸还小的晶体管器件,而并不牺牲高频开关性能。

本发明的目的是提供一种半导体器件,其中,在PN结(二极管的情况下)的大的弯曲区域上,或在基极区和集电极区之间(三极管的情况下)的大的弯曲区域上,用大大减小电场集中的方法,达到击穿电压的改进。

本发明涉及到高击穿电压的半导体器件,并且用与半导体衬底有同一导电类型的高掺杂杂质区所形成的半导体器件中的组成部分,其中,在第一杂质区的对面位置上规定好的部位注入高掺杂杂质区,并且是在半导体衬底的背面上形成的,其宽度要满足t1≤T≤t1+2W0,这里的t1是第一杂质区的宽度,W0是第一杂质区和高掺杂杂质区之间的间隔,因此,在PN结大的弯曲区域处用大幅度降低电场集中的方法,可以实现改进了的击穿电压。

本发明精确的特性以及它的其他目的和优点,将在下面连系附图所做的说明中,可以十分明显地看到。

图1是本发明的第一种较佳实施方案的横断面视图。

图2是本发明的第二种较佳实施方案的横断面视图。

图3是表示本发明中所形成的高掺杂杂质区部位的横断面。

图4是从主表面一侧观察相应于图3所示部位的平面视图。

图5是如图2所示横断面的各个杂质区的掺杂浓度曲线。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/101985000006895/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top