[其他]含氟的P型掺杂微晶半导体合金

权利要求书

1、一个光生伏打结构，包括在光学上和电学上都是串联关系的一层配置在另一层上面的许多层（16b′、18b′、20b′）非晶半导体材料，这许多层包括一个P型电导层（16b′）、一个本征型层（18b′）和一个n型层（20b′），用以在所说的本征型层（18b′）中建立一个电场区，以收集在所说区域中由于吸收入射光而产生的电子-空穴对，其特征是，所说的P型层（16b′）是一个硅基的、含氟的、掺杂硼的微晶层，其激活能低于0.1电子伏特，电导率大于0.5欧姆^-1厘米^-1带宽度大于1.9电子伏特。

2、一个串叠式光生伏打结构（10′），包括许多层在光学上和电学上串联的一层配置在另一层上的许多层（16a′、18a′、20a′、16b′、18b′、20b′）非晶半导体合金材料，该光生伏打结构包括多个相反掺杂的层（20a′，20b′，16a′，16b′），用以建立多个电场区（18a′、18b′）以收集在所说的这些电场区域中由于吸收入射光而产生的电子空穴对，其特征是，所说的掺杂层（20a′、20b′、16a′、16b′）中至少有一层是硅基的、含氟的掺硼微晶层（16b′），其激活能低于0.1电子伏特、电导率大于0.5欧姆^-1，厘米^-1，禁带宽度大于1.9电子伏特。