[其他]半导体集成电路器件

权利要求书

1、一种半导体集成电路器件，包括：

（1）基本单元，每个基本单元包括至少一对双极晶体管和至少两个绝缘门场效应晶体管;

（2）基本单元阵列，每个基本单元阵列是由在预定方向上布置的许多上述基本单元形成的;以及

（3）一个基本单元矩阵，是由许多基本垂直上述预定方向布置的许多上述基本单元阵列形成的，在基本单元阵列之间设有预定间隙;

（4）一个把运行电位施加到上述基本单元上的第一运行电位线和一个第二运行电位线;其特征在于，把上述一对双极晶体管布置在每个上述基本单元的相对的周边上，在上述一对双极晶体管之间至少布置一个上述绝缘门场效应晶体管，将上述第一和第二运行电位线沿着上述基本单元阵列并基本平行于上述预定的方向延伸，使其穿过每个上述基本单元的上述相对的周边，并连接到上述基本单元中形成的上述一对双极晶体管中所选定的一个晶体管上。

2、按照权利要求1所述的一种半导体集成电路器件，进一步包括：

（5）在上述基本单元阵列中延伸的第一布线，连接上述双极晶体管和绝缘门场效应晶体管，形成由上述双极晶体管和绝缘门场效应晶体管相结合组成的一个基本复合电路，用来连接构成上述基本单元阵列的上述基本单元;

（6）在上述基本单元阵列之间的预定空隙区域内延伸的第二布线，用来在上述基本单元阵列之间，或构成几个上述基本复合电路的上述基本复合电路之间传输信号;

其中，每个上述基本复合电路包括一个第一输入端，耦合到一个上述绝缘门场效应晶体管的一个门电极上，并且布置在上述第二布线与上述第一运行电位线之间或第二布线与上述第二运行电位线之间或第二布线与上述第二运行电位线之间，耦合到选定的一个上述第二布线上;还包括一个第二输入端，将其耦合到其他上述绝缘门场效应晶体管的一个门电极上，并将其排列在上述第一和第二运行电位线之间的区域内，且耦合到选定的一个上述第一布线上。

3、按照权利要求2所述的一种半导体集成电路器件，其中上述第一布线是由与上述第一运行电位线和第二运行电位线处于同一层内的导电金属形成的。

4、按照权利要求1所述的一种半导体集成电路器件，其特征在于：每个上述基本单元是由上述一对双极晶体管和彼此具有不同导电类型的两个绝缘门场效应晶体管组成的;上述双极晶体管对的发射极-收集极通路是放在彼此串联的上述第一和第二运行电位线之间。

5、按照权利要求2所述的一种半导体集成电路器件，其中上述基本复合电路中的一个基本单元是一个三输入端“与非”电路。

6、按照权利要求4所述的一种半导体集成电路器件，其中上述双极晶体管对是NPN晶体管，上述两个绝缘门场效应晶体管是硅门型P沟道和N沟道的MOSFETs晶体管。

7、一种半导体集成电路器件，包括：

（1）一个半导体衬底;

（2）基本单元，每个基本单元包括在上述半导体衬底的内部或表面上形成一系列电路组成元件;

（3）基本单元阵列，每个基本单元阵列是由在X方向上排列上述基本单元形成的;

（4）一个基本单元矩阵，是由在基本垂直X方向的Y方向上排列的上述基本单元阵列形成的，在基本单元阵列之间留有预定空隙;

（5）一个第一运行电位线和一个第二运行电位线，将运行电位施加到上述基本单元上;

（6）在上述基本单元阵列中延长第一布线，连接上述基本单元内部形成的上述电路组成元件，使其形成基本电路，并连接上述基本单位阵列的上述基本单元;