[其他]电子器件的制造方法

权利要求书

1、一种用于切割薄膜的激光切割方法，包括的步骤：

在基片上形成一层待刻制图形的薄膜层部分;从准分子激光器发射激光射线束;其特征是

只在一个方向上收缩上述激光射线束，产生一扁平的线性激光束，其波长小于400nm;

将上述收缩的激光射线束在薄膜的一条线上聚焦;

用升华法除去上述聚焦线上的薄膜。

2、按照权利要求1所述的激光切割法，进一步包括的步骤是在收缩上述激光射线束之前，扩大上述激光射线束的横截面。

3、按照权利要求2所述的激光切割法，其中扩大上述激光射线束横截面至少是在与收缩方向相垂直的方向进行。

4、按照权利要求1所述的激光切割法，其中上述薄膜层是导电金属层部分一般由可升华金属，例如：铬（cr），铬-铜（cr-cu）合金，铬-银（cr-Ag）合金或铬-氮（cr-N）合金组成：从而形成了刻有图形的可升华金属的导电金属层。

5、按照权利要求4所述的激光切割法，其中导电金属部分的厚度为2微米或更薄，从而形成的刻有图形的导电金属是2微米或更薄。

6、按照权利要求1所述的激光切割法，其中在衬底上形成的上述薄膜层的导电金属层部分具有一层有机的或无机的绝缘体表面，或者一个非单晶半导体层，从而在衬底上或在非单晶半导体层上形成刻有图形的导电金属层部分。

7、根据权利要求1所述的一种用于制造电子器件的方法，该器件至少有一个透明的导电层和一个非透明的或反射导电层的刻成图形的叠层，包括的步骤有：

形成一个透明的导电层和一个不透明的或反射的导电层的叠层部分，其特征是用线性准分子激光束对叠层部分进行照射使之曝光，从而形成制有图形的叠层部分。

8、按照权利要求7所述的制造方法，其中叠层部分的透明导电层主要由可升华金属氧化物，例如氧化锡（SnO₂），氧化铟（In₂O₃），或铟-锡-氧（InTO）组成，或由可升华金属氮化物，例如：氮化锑（SbN），氮化铟（InN）或氮化锡（Sn₅N₄）组成，从而形成可升华氧化物或可升华氮化物的刻有图形的叠层部分。

9、按照权利要求8所述的制造方法，其中叠层部分的厚度为2微米或更薄，从而形成的刻有图形的叠层部分是2微米或更薄。

10、按照权利要求7所述的制造方法，其中在衬底上形成的叠层部分具有一个有机的或无机的绝缘体表面，或一个非单晶半导体层，从而在衬底上或在非单晶半导体层上形成刻有图形的叠层部分。

11、根据权利要求1所述一种用于制造半导体器件的方法，该器件至少有一个刻有图形的非单晶半导体层，包括的步骤有：

形成一个非单晶半导体层部分;其特征是用线性准分子激光束对非单晶半导体层部分进行照射使之曝光，从而形成刻成图形的非单晶半导体层。

12、按照权利要求11所述的制造方法，其中非单晶半导体层部分主要由包括氮素或卤素作为悬空键中和剂的可升华半导体层材料组成，例如硅（Si），硅锗（SiXGe_1-x，其中0＜X＜0.5），碳化硅（SiXC_1-x，其中0＜X＜1），氮化硅（Si₃N_4-x，其中0＜X＜2），或氧化硅（SiO_2-x其中0＜X＜1），从而形成可升华的制有图形的非单晶半导体层。