[其他]电子器件的制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻图形的层，该层可以是导电金属层，透明导电层和不透明导电层的或反射的得叠层，或非单晶半导体层；另一步是用波长为４００毫微米或更短的激光束在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻有图形的导电金属层，刻有图形的透明导电层和非透明的或反射导电层的重叠层，或刻有图形的非单晶半导体层。本发明的优点在于形成的刻有图形层上没有任何缺陷。

本发明涉及到一种电子器件如一个半导体光电转换器件、场效应晶体管、液晶显示或类似物的制造方法，该器件至少有一层刻成图形的层。该层可以是一层刻成图形的导电金属层，一层刻成图形的透明导电层和刻有图形的不透明的、或反射导电层的叠层，或者是一层刻有图形的非单晶半导体层，特别涉及到改进了电子器件的制造方法，其中至少包括一步形成一层待刻图形的层，这一层可以是导电金属层部分，可以是透明导电层和不透明的或反射层的叠层部分，或一层非单晶半导体层;还包括一步用一个或多个激光束将该层部分刻制成图形层。

为此，这里提供了一种电子器件的制造方法，这种方法至少包括一步是形成待刻图形的层，该层可以是一层导电金属层，由一层透明导电层和一层不透明的或反射层组成的叠层，或非单晶半导体层;和另一步是用激光束的方法在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻成图形的导电金属层，刻成图形的透明导电层和非透明的或反射的导电层的重叠层，或刻成图形的非单晶半导体层。与其他制造方法，如用光刻技术在这些层上制造图形的方法相比，上述方法的优点在于形成的刻成图形层上没有任何缺陷。其理由是用光刻法形成刻成图形层的情况下，所使用的光刻胶掩膜上很容易出现针孔，或者在掩膜的边缘上出现翘起或脱落现象，结果导致出现缺陷，然而使用激光束刻制图形的工艺就没有导致这些缺陷的因素。

通常使用的激光束刻制图形层的方法中，一般的做法是用YAG激光器，该激光器发射激光束的波长比较长，约为1060毫微米。

对于这种波长较长的激光束来说，层部分的吸收系数很小。例如：当待刻图形的层是导电金属层，主要由可升华的金属例如铬（cr），铬-铜（cr-cu）合金，铬-银（cr-Ag）合金或铬-氮（cr-N）合金构成的，或者用非升华金属例如铝（Al），铜（cu），银（Ag），镍（Ni），镁（Mg）或不锈钢构成，或者是叠层部分，包括主要由可升华的金属氧化物，例如有氧化锡（SnO₂），氧化铟（In₂O₃）或铟-钛-氧化物（ITO）：还有可升华的金属非氧化物，例如硅-铬（Si-Cr）或硅-镍（Si-Ni）合金：或者是可升华的金属氮化物，例如氮化锑（SbN），氮化铟（InN）或氮化锡（Sn₅N₄）构成的透明导电金属层，以及不透明的或反射的导电层，其组成主要由上述可升华金属或不升华金属制成的导电金属层部分，或者是非单晶半导体层，其组成主要由可升华的半导体材料，例如硅（Si），硅锗（Si_xGe_1-x，其中0＜X＜0.5），碳化硅（Si_xC_1-x，其中0＜X＜1），氮化硅（Si₂N_4-x，其中0＜X＜2）或者氧化硅（SiO_2-x，其中0＜X＜1），这些待刻制图形层的吸收系数是10²/厘米或更小。其根据如下：当激光束波长长到1060毫微米时，其光能量大大小于待刻图形层的光能带带宽。例如，激光束波长为1060毫微米时，其光能量约为1.23电子伏。另一方面，当待刻图形层是上述导电金属层，或是透明的和非透明的导电层的叠层，或是非单晶半导体层时，其光能带带宽是在3-4电子伏的范围内。

对于用波长为1060毫微米的激光束对刻层进行刻制图形来说，必须要求激光束具有高功率，这是因为待刻图形层对激光束的吸收系数非常小。因此，当待刻图形层部分薄到2微米或更薄时，就很担心将衬底和在衬底上面的其他层损坏，或在不该刻有图形的深度上刻出图形，同时也担心刻制图形层的边缘部位发生翘起或脱落现象。