[其他]瓷介电容器化学镀镍方法

说明书

本发明是把化学镀技术运用于瓷介电容器的电极金属化，化学镀技术用于瓷介电容器生产的关键在于能否提高镀层与瓷体间的附着力，减小化学镀过程中造成的附加损耗。本发明通过用含氢氟酸和铬酐的酸蚀液进行预处理，通过对蚀后瓷体的彻底清洗。通过对敏化、活化后的清洗，通过在含硫酸镍，次磷酸钠和焦磷酸钠的溶液中进行预镀等特殊方法，使镀层附着力大，化学镀过程中造成的附加损耗小，从而使制出的电容器的性能达到产品的标准。

本发明是一种化学镀技术，特别适用于瓷介电容器的电极金属化。

瓷介电容器是一种必不可少的电子元件，它的种类繁多，用量巨大，但历来制备瓷介电容器的电极都是用烧渗银法，由此所消耗掉的白银量是非常惊人的。将化学镀技术应用于瓷介电容器的电极金属化，不仅能节省大量的白银，同时也降低了瓷介电容器的生产成本。

目前国外在瓷表面进行化学镀，一般采用预处理、清洗、敏化、活化、镀膜等过程，用这种方法处理的缺点是：瓷基体与金属镀层之间的结合力弱，电容器的介质损耗角正切值大，镀层不均匀，产品性能达不到产品标准的要求。在JP58-7984《玻璃、陶器的无电解电镀方法》专利中，采用在锡离子和氟离子溶液中进行敏化，在含钯离子或银离子溶液中进行活化。该法虽然克服了用一般化学镀所产生的瓷基体与金属镀层之间结合力弱的问题，但还解决不了电容器的介质损耗角正切值大，镀层不匀等问题。该法用于瓷介电容器镀镍，其产品达不到产品标准要求。

本发明的目的在于解决上述方法中存在的瓷介电容器镀层不匀，介质损耗角正切值大等缺点，把化学镀技术应用于瓷介电容器的电极金属化，使瓷介电容器的产品达到产品标准要求的范围。

本发明的要点是采用新的预处理工艺，预处理后进行彻底清洗，经敏化、活化后进行清洗，在含硫酸镍、次磷酸钠和焦磷酸钠的预镀液中进行预镀，然后再镀膜。

本发明的内容是，在预处理的酸蚀液中除了含有硫酸外，还含有氢氟酸15%～20%（体积），铬酐40～60克/升。使蚀后的瓷基体粗化程度和均匀度好，亲水性好。预处理方法是：将瓷体装入滚镀机的滚筒内，浸入室温的酸蚀液中，滚动浸蚀5～20分钟。

预处理后的清洗，本发明采用先用自来水冲洗。后用去离子水煮沸，再用去离子水超声洗，然后离心甩干，在100～200℃的温度内烘干，并在800～860℃的高温下烧脏，进行彻底清洗。

敏化、活化后的清洗，是用去离子水荡洗3～5次，每次1分钟，使pH值达到6～7为止。

活化后将瓷体浸入浓的次磷酸钠溶液中浸泡数分钟，使瓷体表面残留的钯离子全部还原成钯金属。

本发明提供的预镀条件是在含硫酸镍0.03～0.05克/升，次磷酸钠20～30克/升，焦磷酸钠15～20克/升的溶液中进行预镀。预镀液与镀液的温度相同，预镀液可根据施镀液的需要在50～90℃的范围内选择。预镀时间为1～3分钟。

经预镀处理后，迅速将镀件移入镀液中施镀。为保证产品的潮后性能，镀液应选用酸性镀液。

本发明所提供的上述瓷介电容器电极金属化技术，其优点在于：本发明所提供的酸蚀液中含氢氟酸较多，酸蚀后瓷基体粗化程度和均匀度好，可同时完成粗化和提高活性化的两个目的，使镀层厚度均匀，与瓷体间的附着力大。预处理后本发明采用先水洗后高温烧脏的彻底清洗法，从而保证了电容器的介质损耗角正切值减小到产品标准允许的范围内。由于本发明采用的预镀液具有很强的还原作用，经预镀后，可以防止镀件在施镀前被反氧化，同时在镀件表面先镀上一层很薄的均匀的镍金属层，从而提高了镀件表面的催化能力，使镀件表面在进入镀液施镀时，处于均匀一致的最佳活性状态，因此施镀的起始反应强烈，提高了镀膜效率和镀层的均匀度。本发明的又一突出特点在于，发明所提供的化学镀方法，适用于所有不同瓷料的高频和低频瓷介电容器的电极金属化。用本发明进行的瓷介电容器的电极金属化，其产品性能完全满足了产品标准的要求。

电极附着力： ≥30kg/cm²

绝缘电阻：在正常气候条件下 ≥200000兆欧

介质损耗角正切值：高频电容器≤15×10^-4