[其他]锗酸铋(BGO)单晶的表面抛光剂

权利要求书

1、一种适合于BGO单晶体的表面抛光剂，其特征在于：

a.所使用的抛光磨料（α-Al₂O₃）的粒度范围是：

精磨5＜d＜25微米;抛光1＜d＜5微米。

b.抛光剂的组成及配比范围是：

磨料α-Al₂O₃ 0.5～2公斤（经预处理）

润滑剂丙三醇 0.5～20%（体积）（按载液体积计算）

载液水 1～30升

c.与抛光剂匹配的抛光膜是通常用于半导体硅单晶抛光用的合成树脂抛光布。

2、根据权利要求1所述的抛光剂，其特征在于：

磨料的粒度为：精磨 5～8（或8～13）微米;

抛光 ＜2（或＜5）微米。

3、根据权利要求1所述的抛光剂，其特征在于：

抛光剂的配比是：1公斤α-Al₂O₃（预处理的）加5～20升水，加1～10%（体积）的丙三醇。（按载液体积计算）

4、一种抛光磨料预处理的方法，其特征在于：磨料的预处理条件是：

1公斤α-AL₂O₃加4升水，沉淀10～40分钟，弃去沉底部分。