[其他]模拟存储电压控制的可变电阻在审

专利信息
申请号: 101986000008776 申请日: 1986-12-29
公开(公告)号: CN1003264B 公开(公告)日: 1989-02-08
发明(设计)人: 王博 申请(专利权)人: 王博
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地址: 北京市7*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 模拟 存储 电压 控制 可变 电阻
【权利要求书】:

1、一种由MOSFET构成的压控可变电阻,其特征在于由一个包括电源E、电容C及充放电支路的电路并接在MOSFET的栅极G和源极S之间。

2、如权利要求1所述电路,其特征在于电阻R1与开关K1串接构成放电支路,电阻R2与开关K2串接构成充电支路,放电支路和电容器C并联后与电池E串联,再和充电支路并联。或者电阻R1与开关K1及电池E串接构成充电支路,电阻R2与开关K2串接构成放电支路,充电支路和放电支路和电容器C三者并联。

3、如权利要求2所述电路中的充、放电支路,其中的R1、K1及R2、K2分别由两组感压导电橡胶与接触电极取代。

4、如权利要求2或3所述电路同时提供给一个或一个以上MOSFET的栅极电压。

5、如权利要求4所述电路中的电池E由电阻R,稳压二极管D和电容器C取代。

6、如权利要求5所述稳压二极管由一支或一支以上发光二极管取代。

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