[其他]模拟存储电压控制的可变电阻在审
申请号: | 101986000008776 | 申请日: | 1986-12-29 |
公开(公告)号: | CN1003264B | 公开(公告)日: | 1989-02-08 |
发明(设计)人: | 王博 | 申请(专利权)人: | 王博 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 北京市7*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模拟 存储 电压 控制 可变 电阻 | ||
1、一种由MOSFET构成的压控可变电阻,其特征在于由一个包括电源E、电容C及充放电支路的电路并接在MOSFET的栅极G和源极S之间。
2、如权利要求1所述电路,其特征在于电阻R1与开关K1串接构成放电支路,电阻R2与开关K2串接构成充电支路,放电支路和电容器C并联后与电池E串联,再和充电支路并联。或者电阻R1与开关K1及电池E串接构成充电支路,电阻R2与开关K2串接构成放电支路,充电支路和放电支路和电容器C三者并联。
3、如权利要求2所述电路中的充、放电支路,其中的R1、K1及R2、K2分别由两组感压导电橡胶与接触电极取代。
4、如权利要求2或3所述电路同时提供给一个或一个以上MOSFET的栅极电压。
5、如权利要求4所述电路中的电池E由电阻R,稳压二极管D和电容器C取代。
6、如权利要求5所述稳压二极管由一支或一支以上发光二极管取代。
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