[其他]模拟存储电压控制的可变电阻在审

专利信息
申请号: 101986000008776 申请日: 1986-12-29
公开(公告)号: CN1003264B 公开(公告)日: 1989-02-08
发明(设计)人: 王博 申请(专利权)人: 王博
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地址: 北京市7*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 模拟 存储 电压 控制 可变 电阻
【说明书】:

一种压控可变电阻,采用了模拟存储技术,其阻值可以随意调定并保持较长时间,可对多个信号通道实行同步的无级调控。具有无接触噪音,无机械磨损,无调控死点,线路简单,操作方便,密封性好,成本低,体积小等优点,适用于电视机、收录机、扩音机、电子琴、玩具等音响设备上的音量、音调的控制,及其它电子设备上的信号控制。

发明是一种用于信号控制的压控可变电阻。

在本发明以前,各种电子音响设备上的音量和音调控制,大都采用碳膜电阻片式的电位器,此种电位器结构上都采用了触头在电阻片上滑动的方式来改变分压比。由于存在机械摩擦,不可避免地会在调控过程中产生接触噪音,而且时间稍长,电极触头对碳膜的磨损会达到严重接触不良的程度。在音响设备中,它是最易出故障的元件之一。另外,在触头滑至一端时,经常有控制死点,出现最小音量不为零或陡然为零的现象。对于用在立体声音量控制中的双连电位器,则易在小音量时出现不平衡现象。目前在较高档次的电子设备及彩色电视机、收录机上有一类由数字电路构成的音量控制装置,虽然避免了接触噪音,但线路复杂,成本较高,且往往只能跳跃式地控制,分级的感觉较强。

本发明的目的在于避免上述现有技术中的不足之处而提供一种不存在机械摩擦,不产生噪音,可无级调变阻值,结构简单,成本低的音量控制可变电阻。

本发明采用了模拟存储技术,其特征在于由一个包括电源E、电容C及充放电支路的电路并接在金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极(G)和源极(S)之间,以使MOSFET的漏(D)-源电阻rDS在一段时间内在某一值上保持相对恒定,从而对音频信号的旁路或衰减程度能够随意选定并保持。

本发明的解决方案,可以由附图加以说明。

图1是本发明模拟存储电压控制可变电阻的基本电原理图。由一个包括电源E、电容C及充放电支路的电路(此处称之为电路10)并接在MOSFET的栅极G和源极S之间。

图2是电路10的E-C串联式接法,与MOSFET连接构成的本发明电路图。电阻R1与开关K1串接构成放电支路,电阻R2与开关K2串接构成充电支路。放电支路和电容器C并联后与电池E串联,再和充电支路并联构成电路10。

图3是电路10的E-C并联式接法,与MOSFET连接构成的本发明电路图。电阻R1与开关K1及电池E串接构成充电支路,电阻R2与开关K2串接构成放电支路,充电支路和放电支路和电容器C三者并联构成电路10。

图4和图5分别为图2和图3电路采用感压按键后的电路图,AN1和AN2是感压按键。

图6为由一个电路10同时控制4个MOSFET的VDS的本发明电路图。

图7为在本发明中用以取代电池E的稳压二极管电路图。

图8为在本发明中用以取代电池E的发光二极管电路图。

图9为采用本发明的立体声扩音机电原理图。

图1中电路10实际上提供给MOSFET一个控制电压VDS,它的选定由电容C两端储存的电压决定。由于MOSFET的输入阻抗极高,所以选定的VDS可以长期保持。rDS随VDS变化。VDS的选择,可使rDS从10-1欧姆数量级变至10′欧姆以上。

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