[其他]湿化学共沉淀氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺在审

专利信息
申请号: 101987000000243 申请日: 1987-03-24
公开(公告)号: CN87100243B 公开(公告)日: 1988-08-10
发明(设计)人: 温廷琏;施鑫陶;李晓飞 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国科学院上海专利事务所 代理人: 聂淑仪;潘振苏
地址: 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 化学 共沉淀 氧化锆 mg psz 工艺
【权利要求书】:

1、一种用湿化学法共沉淀制备的氧化锆(Mg-PSZ)的封接工艺,其特征在于:

A、选用封接材料

a.Mg-PSZ作主要封接材料;

b.95-氧化锆陶瓷、DM-308玻璃,4529铁线钴合金作可以封接的材料;

B.封接方式

直接封接,

加封接剂DM-308玻璃的封接;

C.工艺条件

a.中温 950~1050℃ 保温半小时

b.普通灯二吹制及退火。

2、根据权利要求1所述的封接工艺,其特征在于:

与DM-308玻璃的直接封接的灯工吹制条件包括:

A.用煤气-氧气混合焰吹制;

B.吹制后在500℃下退火,降温速度为<40℃/每小时。

3、根据权利要求1所述的封接工艺,其特征在于:

与95氧化铝陶瓷的封接条件是:

A.用封接剂的中温封接;

B.中温直接封接:

a.固定升温速率为:200~250℃/小时;

b.降温速率在1030~500℃之间是300℃/小时;

在500℃~室温之间是40℃/小时。

4、根据权利要求1所述的封接工艺,其特征在于:

所述的与合金的封接条件是:

A.采用DM-308玻璃作封接剂;

B.中温封接。

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