[其他]薄膜磁头及其制造方法在审

专利信息
申请号: 101987000000502 申请日: 1987-01-27
公开(公告)号: CN1004035B 公开(公告)日: 1989-04-26
发明(设计)人: 今中律;高木政幸;户川卫星;藤治信;长池完训;大浦正树;铃木三郎;小林哲夫;锹俊一郎 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 曹济洪;董江雄
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 磁头 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种薄膜磁头,包括:

基底(1);

形成于所述基底上的第一磁层(30);

形成于所述第一磁层上的非磁性缝隙层(4);

形成于所述缝隙层上的第一绝缘层(5);

形成于所述第一绝缘层上的螺旋形绕组的一层第一导体层(6);

形成于所述第一导体层上的第二绝缘层(7);

形成于所述第二绝缘层上的螺旋形绕组的一层第二导体层(8),所述第二导体层与所述第一导体层电气连接以构成一个两层导体线圈;

形成于所述第二导体层上的第三绝缘层(92);以及

形成于所述第三绝缘层上和所述缝隙层的一部分上且与所述第一磁层相接触以构成一磁路的第二磁层(101);

其特征在于,

在由所述缝隙(4)和所述第二磁层(101)所限定的空间内的所述第一和第二导体层(6,8)的相对配置是样的,使得在基本上与基底表面相平行的基准面和取在垂直于基底表面的平面上的连接第一和第二导体层(6,8)的横截面的表面边缘(6c,8c)的连线之间所构成的角(θ1),基本上等于在所述基准面和所述第二磁层(101)的侧斜面之间所构成的角(θ2),且

各所述角基本上是在30°至45°的范围内。

2、根据权利要求1的薄膜磁头,其特征在于,在所述空间内的所述第一和第二导体层(6,8)的相对配置进一步是这样的,使得取在垂直于所述基底表面的所述平面上的所述第二导体层(8)的各绕组的横截面的中部,基本上位于取在垂直于所述基底表面的所述平面上的所述第一导体层(6)接近最下面的两绕组的横截面之间的中部之上。

3、一种制造薄膜磁头的方法,包括下列步骤:

在基底上形成第一磁层;

在所述第一磁层上形成非磁性缝隙层;

在所述缝隙层上形成第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成螺旋形绕组的一层第一导体层;

在所述第一导体层上形成第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上形成螺旋形绕组的一层第二导体层,所述第二导体层与所述第一导体层电气连接以构成一个两层导体线圈;

在所述第二导体层上形成第三绝缘层;

所述第一、第二和第三绝缘层上加图案;

将所述缝隙层腐蚀到预定的图案;

在所述加图案的第三绝缘层上和所述缝隙层的一部分上,以下述这样的方式形成一第二磁层,即所述腐蚀过的缝隙层的所述部分,是被夹在所述第一和第二磁层之间以构成一所述磁头的缝隙,所述第一和第二磁层互相接触以构成一由所述导体线圈所产生的磁力线的磁路;以及

研磨最后得到的结构的侧面,该结构包括夹在所述第一和第二磁层之间的所述腐蚀过的缝隙层的所述部分;

其特征在于,

所述加图案的步骤包括同时腐蚀所述第一、第二和第三绝缘层(5,7,91);

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