[其他]薄膜磁头及其制造方法

说明书

一种薄膜磁头，在其由第一和第二磁层构成的磁路中，带有两层导体层。该磁路在其与录制介质相对的一侧，有着第一和第二磁层在基本等于缝隙深度的长度上相互对应的部分，而非磁性缝隙层插入其间，另外还有着上述两磁层相互连接的前部。缝隙层的边缘构成了磁路的缝隙。如上配置的薄膜磁头可在不减少其生产量的情况下实现高密度录制。

本发明涉及了薄膜磁头，特别是涉及了具有一多圈线圈和一狭窄缝隙深度的薄膜磁头，它非常适用于高密度的录制/重放。

近年来，在各种唱片装置及类似装置中，对高密度的录制有着十分迫切的需求。为满足这一需求，首先是在轨迹宽度方向上增加录制密度。但是由于这种轨迹宽度的缩减将导致重放输出衰减的问题。要解决这一问题就需要在有限的面积上比之原来更多地增加导体线圈的圈数。另外为满足上述需求，还要提高录制频率以提高线（Line）录制密度，但这同样会引起上述问题。再之唱片装置等的日趋小型化，由于录制介质和磁头间的相对速度减小也会带来同样问题。因而目前的要求是要有性能更加改进的磁头，以避免重放输出的衰减。

为防止由于加大录制密度而使重放输出衰减，一般是在录制介质上施加一较大强制力。这就要求薄膜磁头具有这样一种结构，它可增强录制磁场。为得到这样一种磁头，现已提出加大缝隙长度和磁芯厚度但减小缝隙深度的方案。但是增加了缝隙长度和磁芯厚度，在高频段会使重放输出趋于衰减，这是不可取的，因此就需要比原来更多地减小缝隙深度。

为防止由于降低录制介质和磁头间的相对速度而导致重放输出的衰减，在如上所述缩小轨迹宽度的情况下，还需要在有限的面积上加大导体线圈的圈数。

一种先有的典型薄膜磁头，具有呈椭圆状的八圈导体线圈，用于如前所述的较高密度录制和重放。这种薄膜磁头公开在于1978年递交的日本专利申请JP-A-55-84019中（对应的美国专利申请号为972，104），以及于1978年递交的日本专利申请JP-A-55-84020中（对应的美国专利申请号为972，103）。但是这种磁头产生了新的问题，而在上述的专利申请中并未提出其解决办法。

这些新产生的问题如下所述：

在有限的面积上于单层导体（线圈）结构中，如缠绕圈数很多，则此种情况下的线圈阻抗要增大。为防止这种阻抗增大，就要加大线圈厚度并减小线圈间隔。而提供这种增加了厚度的线圈，必然会在厚度上使其成形时要用到的光敏抗蚀剂予以增加。但是在生产过程中要成形这种较厚的光敏抗蚀剂及使这种较厚的线圈具有较高的精度是相当困难的。由于线圈间隔的缩短，混杂在线圈绕组间的任何杂质会造成经常性的线圈绕组间的短路情况发生。这会降低磁头的生产量。再之于前述的情况中，还必须缩减螺旋形绕组的中部与外电路连接区域的面积。然而要在一已缩减了的面积中形成这种连接区域且要求变化很小是很困难的。所以在使用这种磁头时其连接阻抗会有变化，从而就不可能得到稳定的录制和重放特性。就磁头的可靠性而言这是一个严重的问题。

在有限的面积上制成多圈绕组的导体，其一种结构在49-33648号日本专利公开中已经提出。此结构中，具有某一宽度的多层导体经各绝缘层而层叠于一基底上。为获得满意的磁头特性，所层叠的层数要多。这就使制造步骤不希望地增加了若干步。

另一种结构是公开在JP-A-56-58124中的多层多绕组制造结构。如果在此种结构中增加导体层数，则线圈绕组成形的面在其高度上要比基底表面高。这将使得要在整个基底表面形成具有较高精度的各线圈绕组相当困难。又因第二磁层是成形于接续步骤中偏移部分（displacement portion）的较高步骤中，所以要确保实现具有较高精度的轨迹宽度也很困难。再之将磁轭中的窗口开大而形成缝隙深度的端部会带来精度的降低，其中缝隙深度的端部是在与介质相对一侧，通过腐蚀磁轭中的绝缘体来决定的。这将引起缝隙深度的变化。磁轭一侧上绝缘层的倾斜部，由于腐蚀过度或不足要使其具有预定的倾角及在导体层和磁层之间有预定尺寸均很困难。因此，所要求的录制特性和导体层与磁层之间的绝缘特性会有变化或根本无法达到。从而要限制导体层的层数以使所形成的绕组不会增加磁轭内的窗口高度。