[发明专利]半导体对准辅助物

权利要求书

1.一种用于半导体器件的对准辅助物，该对准辅助物包括：

具有第一水平反射率的第一区域；

与第一区域相邻且具有比第一水平反射率小的第二水平反射率的 第二区域，其中第二区域包括至少一层瓦片，所述至少一层瓦片中的 每层都位于互连层中；并且

其中所述至少一层瓦片位于半导体器件的有效电路的正上方。

2.根据权利要求1的对准辅助物，其中第一区域包括对准特征 区域并且第二区域包括背景区域。

3.根据权利要求1的对准辅助物，其中第一区域包括背景区域 并且第二区域包括对准特征区域。

4.根据权利要求1的对准辅助物，其中所述至少一层瓦片中的 每层瓦片还包括：

位于互连层中的多个瓦片，所述多个瓦片中的每个瓦片与所述多 个瓦片中的相邻瓦片在对准辅助物的激光扫描方向上分开小于用来扫 描对准辅助物的激光的波长的间隔。

5.根据权利要求1的对准辅助物，其中所述至少一层瓦片中的 每层瓦片还包括：

位于互连层中的多个瓦片，所述多个瓦片中的每个瓦片与所述多 个瓦片中的相邻瓦片在对准辅助物的激光扫描方向上分开小于1340nm 的间隔。

6.根据权利要求1的对准辅助物，其中所述至少一层瓦片还包 括：

多个瓦片，所述多个瓦片中的每个瓦片在对准辅助物的激光扫描 方向具有小于用来扫描对准辅助物的激光的波长的宽度。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

互连层部分，其包括位于所述半导体衬底之上的多个互连层；

对准辅助物，其包括：

具有第一水平反射率的第一区域；以及

与第一区域相邻且具有小于第一水平的第二水平反射率的第二区 域；

其中所述互连层部分包括位于第二区域中的至少一层瓦片，所述 至少一层瓦片的每一层位于多个互连层的一个互连层中；

位于所述至少一层瓦片正下方的有效电路。

8.根据权利要求7的半导体器件，其中第一区域包括对准特征 区域并且第二区域包括背景区域。

9.根据权利要求7的半导体器件，其中第一区域包括背景区域 并且第二区域包括对准特征区域。

10.根据权利要求7的半导体器件，其中所述至少一层瓦片的每 层还包括：

多个瓦片，所述多个瓦片中的每个瓦片与所述多个瓦片中的相邻 瓦片在对准辅助物的激光扫描方向上分开小于用来扫描对准辅助物的 激光的波长的间隔。

11.根据权利要求7的半导体器件，其中所述至少一层瓦片的每 层还包括：

多个瓦片，每个瓦片在对准辅助物的激光扫描方向上具有小于用 来扫描对准辅助物的激光的波长的宽度。

12.根据权利要求7的半导体器件，其中所述至少一层瓦片中的 每层还包括：

多个瓦片，所述多个瓦片中的每个瓦片与所述多个瓦片中的相邻 瓦片结构在对准辅助物的激光扫描方向上分开小于1340nm的间隔。

13.根据权利要求7的半导体器件，其中所述至少一层瓦片还包 括：

多个瓦片结构，每个瓦片结构在对准辅助物的激光扫描方向上具 有小于用来扫描对准辅助物的激光的波长的宽度。

14.根据权利要求7的半导体器件，其中所述至少一层瓦片中的 第一层瓦片位于所述多个互连层的第一互连层中，并且所述至少一层 瓦片中的第二层瓦片位于所述多个互连层的第二互连层中，其中第一 层瓦片和第二层瓦片被介电材料层分开。

15.根据权利要求7的半导体器件，其中：

所述互连层部分包括第一数量的互连层，其中所述互连层部分的 第二数量的层的每一层包括所述至少一层瓦片中的一层瓦片，其中第 一数量大于第二数量。