[发明专利]半导体对准辅助物

说明书

技术领域

本发明总的来说涉及一种半导体器件，并且特别涉及一种用于半 导体器件的对准辅助物。

背景技术

对准辅助物用于半导体器件的制造。对于某些工艺，例如为了烧 断熔丝，用激光器扫描对准辅助物以在半导体晶片上提供位置的指 示。典型地，对准辅助物包括对准特征区域和与对准特征区域相邻的 背景区域，其中对准特征区域提供第一水平的光反射率，背景区域提 供与第一水平大不相同的第二水平的光反射率。对于正密度对准辅助 物，对准特征提供高水平的光反射率而背景区域提供相对低水平的光 反射率。

对于一些对准辅助物，提供相对低水平的光反射率的对准辅助物 部分(即，对于正密度对准辅助物的背景区域)在背景区域的金属互 连层中没有金属。但是，这些对准辅助物遇到了由于在这些区域中没 有构图的金属造成互连层不均匀抛光的问题。为了克服上述不均匀抛 光的问题，在背景区域的每层金属互连层中可以设置金属瓦片(tile)， 用于改善这些区域的抛光。

但是，上述对准辅助物位于衬底或互连层中没有有效电路的晶片 区域之上。因此，由于对准辅助物之下没有有效电路，上述对准辅助 物浪费了晶片空间。

所需要的是可以位于半导体器件的有效电路之上的对准辅助物。

附图说明

通过参考附图，可以更好地理解本发明，并且其众多目的、特征 和优点对于本领域技术人员将更加清楚。

图1是根据本发明的半导体晶片的一个实施例的部分顶视图。

图2是根据本发明的半导体晶片的一个实施例的部分侧视图。

图3是根据本发明的半导体晶片的另一个实施例的部分侧视图。

在不同附图中使用相同的参考标号表示相同的项目，除非另有说 明。图1、2和3不必是按比例绘制的。

具体实施方式

现在给出用于实施本发明的模式的详细说明。本说明是用来解释 本发明而不应看作是限制性的。

图1是根据本发明的半导体晶片的一个实施例的部分顶视图。图 1示出了被划线区域111分离的四个管芯区域(管芯区域103、管芯区 域105、管芯区域107和管芯区域109)的角部。在后面的制造阶段 中，沿划线区域111分离晶片以分成单个的管芯区域103、105、107 和109，以形成分离的半导体管芯。

晶片101包括大量对准辅助物，用于在晶片的处理操作中提供对 准。图1示出了对准辅助物113、115、117、144、119和121。在一 个例子中，这些对准辅助物用于由激光进行的扫描，以为了烧断熔丝 提供位置的指示。

这些对准辅助物包括提供第一水平的反射率的特征区域和相对于 对准特征区域提供对照水平的反射率的背景区域。对准辅助物115是 正密度对准辅助物，因为特征区域123提供比背景区域125更高水平 的反射率。对准辅助物119是负密度对准辅助物，因为背景区域131 具有比特征区域125更高水平的反射率。

对准辅助物144是负密度对准辅助物并且包括背景区域145、143 和141。对准辅助物144的特征区域147是与背景区域141、143和145 相邻的划线区域111的一部分并且由背景区域141、143和145相对于 彼此的相对位置来定义。特征区域147具有较低水平的反射率而背景 区域141、143和145具有较高水平的反射率。对准辅助物121包括 多个特征区域(127和128)。根据在此的教导，本领域技术人员将知 道，根据本发明的对准辅助物可以是除了图1所示的构造之外的其它 构造。图1所示的对准辅助物是两维对准辅助物，因为它们能够在两 个不同的扫描方向上从被激光扫描提供指示信息。对于图1所示的对 准辅助物的扫描方向是彼此垂直的并且平行于箭头SD1和SD2。

对准辅助物113、115、119和121位于晶片101的管芯区域。管 芯区域的互连层和衬底(例如215)中的有效电路位于这些对准辅助 物下面。有效电路包括在衬底或互连层中的电路(例如，晶体管、电 阻器、电容器、二极管、信号线、电源总线等)，在分成单片后在其 最终使用中用于管芯的工作。提供位于有效电路上的对准辅助物使得 能够更有效地利用晶片空间。