[发明专利]用于处理基底的系统和方法

权利要求书

1.一种用于处理基底的系统，该系统设有至少一个处理腔室(1)以利用真空工艺处理至少一个基底(5)，其中所述处理腔室(1)设有能够由关闭体(15)关闭的基底入口(13)，并且该系统设有输送装置(8)，该装置至少被设置为用于移动所述关闭体(15)，并且所述输送装置(8)设置为用于至少在位于处理腔室(1)外侧的位置和位于处理腔室(1)内侧的位置之间输送掩膜(4)，该掩膜用于在所述真空工艺期间至少部分地覆盖所述基底(5)。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统设有设置在处理腔室(1)外侧的掩膜真空锁(7)，并且所述输送装置(8)设置为将所述掩膜(4)从处理腔室(1)输送到所述真空锁，并且反之亦然。

3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，该系统设有设置在处理腔室(1)外侧的关闭体接收腔室(16)，并且所述输送装置(8)设置为将所述关闭体(15)从处理腔室(1)输送到所述接收腔室(16)，并且反之亦然。

4.根据权利要求2或3所述的系统，其特征在于，所述掩膜真空锁(7)和所述关闭体接收腔室(16)基本彼此相对地设置。

5.根据前面任一项权利要求所述的系统，其特征在于，所述输送装置(8)设置为同时地保持所述掩膜(4)和所述关闭体(15)。

6.根据前面任一项权利要求所述的系统，其特征在于，所述输送装置(8)设置为沿着公共的输送方向(V)移动所述掩膜(4)和所述关闭体(15)。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述公共的输送方向包括竖直输送方向(V)。

8.根据前面任一项权利要求所述的系统，其特征在于，所述输送装置设有可移动的输送框架(8)，该框架设置用于保持所述掩膜(4)和所述关闭体(15)。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述输送框架(8)沿着基本竖直的方向延伸。

10.根据权利要求8或9所述的系统，其特征在于，如此设置所述输送框架(8)以使其能够基本沿着纵向框架方向移动。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的系统，其特征在于，所述输送框架(8)设有用于保持所述掩膜(4)的第一框架段(8a)和用于保持所述关闭体(15)的第二框架段(8b)。

12.根据权利要求2、3和11中任一项所述的系统，其特征在于，输送框架(8)能够在第一位置和第二位置之间移动，并且在所述第一框架位置中，第一框架段(8a)延伸进入掩膜真空锁(7)中而第二框架段(8b)与基底入口(13)相对地延伸，并且在所述第二框架位置中，第一框架段(8a)与基底入口(13)相对地延伸而第二框架段(8b)延伸进入所述接收腔室(16)中。

13.根据权利要求8-12中任一项所述的系统，其特征在于，处理腔室(1)的壁设有至少一个框架通道(9、29)以便移动所述输送框架(8)的至少一部分通过其中。

14.根据权利要求11或13所述的系统，其特征在于，处理腔室(1)在第一侧上设有第一框架通道(9)以使得所述第一框架段(8a)通过，并且在第二侧上设有第二框架通道(29)以使得所述第二框架段(8b)通过。

15.根据权利要求13或14所述的系统，其特征在于，该系统特别是所述输送框架(8)设有关闭装置(10、30)以关闭所述框架通道(9、29)。

16.根据前面任一项权利要求所述的系统，其特征在于，该输送框架(8)设有关闭体保持装置(23)，该装置至少设置为将所述关闭体(15)保持在如此关闭位置中，使得所述基底入口(13)被关闭体(15)关闭。

17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，所述关闭体保持装置(23)设置为在所述关闭位置和位于所述输送框架(8)上的位置之间移动所述关闭体(15)。

18.根据前面任一项权利要求所述的系统，其特征在于，该输送框架(8)设有掩膜保持装置(35)，该装置至少设置为在处理腔室(1)中将所述掩膜(4)保持在覆盖所述待处理基底(5)的至少一部分的基底覆盖位置中。