[发明专利]用于处理基底的系统和方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于处理基底的系统，其中该系统设有至少一个处理腔室以利用真空工艺处理至少一个基底，该处理腔室设有能够由关闭体关闭的基底入口，并且该系统设有输送装置，该装置至少被设置为用于移动该关闭体。

背景技术

这种系统是从实践中公知的。该真空工艺可包括各种类型的工艺，例如沉积工艺、蚀刻工艺、蒸发工艺、分子束外延生长、PVD、CVD、PE-CVD、印刷、固化等。在这种公知系统中，基底经由基底入口进入处理腔室。然后可将基底入口密封地关闭从而防止特定工艺物质在基底处理期间从处理腔室泄漏和/或以便将处理腔室保持为所期望的压力水平。随后，开始进行处理。在基底处理期间，基底入口的关闭可例如通过基底保持架实现，该基底保持架可从本申请人的未在先公开欧洲专利申请EP03076554.9所公知，该申请通过引用结合在这里。

而且，当没有将基底送入处理腔室时，例如在处理腔室维护期间和/或为了防止对在处理腔室外侧连接到基底入口的真空基底输送空间造成污染，密封地关闭处理腔室是所期望的。在此情形，基底入口也可通过可由输送装置移动的关闭体所关闭。

在特定情形中，还期望覆盖基底的一部分，特别是为了局部地处理该基底，例如为了局部的施加材料层。这通常通过在处理腔室中将掩膜在基底之前设置于基底覆盖位置中而得以实现。这种掩膜优选是可以更换的，例如为了当掩膜被污染时对其进行清洁，和/或当期望使用具有不同设计的掩膜时。掩膜关于基底的准确定位经常是困难的。

发明内容

本发明涉及对在序言部分中所述系统的改进。具体的，本发明涉及一种系统，利用该系统能够较简单地并且快速地更换掩膜。

为此目的，具有在序言部分中所述类型的该系统其特征在于，设置输送装置以至少在位于处理腔室外侧的位置和位于处理腔室内侧的位置之间输送掩膜，该掩膜用于在真空工艺期间至少部分的覆盖该基底。

该输送装置设置为用于至少在位于处理腔室外侧的位置和位于处理腔室内侧的位置之间输送掩膜，该掩膜在真空工艺期间至少部分地覆盖该基底。以此方式，该输送装置具有至少两个功能，即输送关闭体，以及进行掩膜输送。术语输送装置不仅包括所示的示例性实施例，而是例如还包括设有两个能够彼此间独立驱动的操纵器的输送装置，其中的第一个输送关闭体并且另一个输送掩膜。利用输送装置可简单地将该掩膜送入处理腔室和从该处理腔室取出。而且，以此方式，该系统可具有较简单并且紧凑的设计。

该系统优选设有设置在处理腔室外侧的掩膜真空锁以更换掩膜，而输送装置被设置为将掩膜从处理腔室输送到真空锁并且反之亦然。通过使用真空锁，处理腔室中的压力可在掩膜更换期间保持为理想的、较低的水平，从而可充分的避免在掩膜更换期间污染处理腔室。

根据本发明进一步的细节，特别有利的是将输送装置设置为基本同时地保持掩膜和关闭体。以此方式，可较快速地进行掩膜的更换，因为掩膜和关闭体可这样被基本同时地移动。掩膜能够例如通过输送装置而从处理腔室移出，而关闭体被移动进入处理腔室中，并且反之亦然。这里，掩膜的运动基本不受关闭体的运动的影响或者仅受到较小的影响。更加有利的是，将输送装置设置为沿着公共的输送方向移动掩膜和关闭体，从而为了掩膜输送以及关闭体运动的目的，仅需具有较小的空间。

可以各种方式设计输送装置以用于掩膜和关闭体运动的目的。根据本发明，有利的是，输送装置设有可移动的输送框架，该框架设置用于保持掩膜和关闭体。在此情形，处理腔室可例如设有至少一个框架通道以使得输送框架的至少一部分移动通过其中。

而且，本发明提供一种用于根据本发明系统的输送装置。该输送装置可例如设置在基底处理系统中以便为该系统提供上述优点。

本发明还提供一种用于利用根据本发明的系统处理基底的方法，其中至少一个基底设置在处理腔室中，而基底待处理表面的一部分被掩膜所覆盖，然后在处理腔室中进行真空处理以便至少处理基底表面未被掩膜所覆盖的部分。该方法使用本发明以有利的方式提供的系统。根据该方法，该至少一个基底设置于处理腔室。基底的待处理表面的一部分被掩膜所覆盖。然后，在处理腔室中进行真空处理以至少处理基底表面未被掩膜所覆盖的部分。利用输送装置能够较快速地并且简单地更换掩膜。

该系统还考虑这样一种系统，利用其能够将基底关于掩膜较简单地、准确地并且快速地定位。