[发明专利]金属－绝缘体转换开关晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200480034694.5 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101124679A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 尹斗协;金铉卓;蔡秉圭;姜光镛;孟成烈 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 转换开关 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属-绝缘体转换开关晶体管，包括：
硅衬底；
在所述衬底上的栅电极；
在所述栅电极和硅衬底上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上的金属-绝缘体转换沟道层，其中所述金属-绝缘体转换沟道层依靠电场的变化，从绝缘体相转变成金属相，或相反；和
源和漏，分别与所述金属-绝缘体转换沟道层的两侧接触。
2.根据权利要求1所述的金属-绝缘体转换开关晶体管，其中所述衬底是硅衬底。
3.根据权利要求1所述的金属-绝缘体转换开关晶体管，其中所述源和漏是由从包括铬(Cr)层和金(Au)层或钨(W)层和钛(Ti)层的组中选出的材料构成的双层。
4.根据权利要求1所述的金属-绝缘体转换开关晶体管，其中所述金属-绝缘体转换沟道层由二氧化钒(VO2)薄膜组成。
5.一种金属-绝缘体转换开关晶体管的制造方法，包括步骤：
在硅衬底上形成栅电极；
在所述硅衬底和栅极上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成源电极和漏电极；且
在所述源电极和漏电极之间形成金属-绝缘体转换沟道层。
6.根据权利要求5所述的金属-绝缘体转换开关晶体管的制造方法，其中所述源和漏是由从包括铬(Cr)层和金(Au)层或钨(W)层和钛(Ti)层的组中选出的材料构成的双层。
7.根据权利要求5所述的金属-绝缘体转换开关晶体管的制造方法，其中所述形成源和漏的步骤通过使用剥离(lift-off)工艺实施。
8.根据权利要求5所述的金属-绝缘体转换开关晶体管的制造方法，其中所述金属-绝缘体转换沟道层利用二氧化钒(VO2)薄膜形成。
9.根据权利要求8所述的金属-绝缘体转换开关晶体管的制造方法，所述二氧化钒薄膜在450℃到470℃范围内的生长温度及在5到6 SCCM范围内变化的氧流量下生长。
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